Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Modellistica fisica e simulazione numerica di dispositivi di potenza |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Physical modeling and numerical simulation of power devices |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto proposto riguarda lo sviluppo di strumenti di simulazione applicati a dispositivi MOSFET per applicazioni di potenza con particolare attenzione volta ai fenomeni di intrappolamento di carica presenti all’interfaccia tra il semiconduttore e l’isolante o all’interno dell’ossido. L’impatto di questi studi sull’industria microelettronica è molto elevato. Verrà effettuata un’analisi numerica del comportamento dei dispositivi in silicio a canale n e p di tipo LDMOS e di MOSFET planari verticali in SiC. Verranno utilizzati i modelli di trasporto disponibili negli strumenti TCAD e le caratterizzazioni di dispositivi di ultima generazione, con i quali si potranno determinare le principali differenze nelle curve di corrente-tensione prima e dopo lo stress elettrico e correlarle con la localizzazione del degrado nel dispositivo dovuto alla presenza di trappole. |
| Descrizione sintetica in inglese | In this project the development of software tools for the simulation of the electrical behavior of power devices will be addressed with special focus on the charge trapping/detrapping phenomena taking place at the interface between semiconductor and insulator or within the insulating oxide. The impact of such investigations on the microelectronics industry is relevant. An extensive numerical investigation on the behavior of Si-based n-channel and p-channel LDMOS devices and of SiC-based planar vertical MOSFETs will be carried out. The available TCAD models will be addressed along with characterization of state-of-the-art devices, which will be used to investigate the I-V curves in fresh and stressed conditions with the aim of extracting quantitative information on the localization of the degradation within the device due to trapping phenomena. |
| Data del bando | 06/11/2019 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| susanna.reggiani@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 28/11/2019 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |