Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | “Ottimizzazione elettronica dell'interfaccia silicio amorfo/silicio cristallino in celle solari ad eterogiunzione |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Electronic optimization of the amorphous / crystalline silicon interface in heterojunction solar cells |
Campo principale della ricerca | Engineering |
Sottocampo della ricerca | Communication engineering |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
Descrizione sintetica in italiano | Oggetto del contratto è lo studio dell’impiego di film sottili a base di ossido di silicio (SiOx) in celle solari ad eterostruttura, che coinvolgano ossidi di transizione come contatti selettivi. In particolare verranno esplorati l’ossido di molibdeno non stechiometrico (MoOx) ottenuto per evaporazione termica e l’ossido di tungsteno non stechiometrico (WOx) ottenuto per sputtering. |
Descrizione sintetica in inglese | The subject of the contract is the study of the use of thin films based on silicon oxide (SiOx) in heterostructure solar cells, which involve transition oxides as selective contacts. In particular, non-stoichiometric molybdenum oxide (MoOx) obtained by thermal evaporation and non-stoichiometric tungsten oxide (WOx) obtained by sputtering will be explored. |
Data del bando | 15/11/2019 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
Stanziamento annuale (indicativo) | 19367 |
Periodicità | annuale |
E' richiesta mobilità internazionale? | yes |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
Italy |
Nazionalità dei candidati |
Italy |
Sito web del bando | https://web.uniroma1.it/trasparenza/bandi_concorso_ar/70?field_user_centro_spesa_ugov_tid=1411&field_data_pubblicazione_value%5Bvalue%5D%5Byear%5D=2019&field_bis_ssd_tid=All&keys= |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
Importo annuale | 19.367 |
Valuta | Euro |
Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
Comprende vitto e spese di viaggio | no |
Comprende il costo della ricerca | no |
Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Titolo e colloquio |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | title and interview |
Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Titolo e colloquio |
Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | title and interview |
Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento Ingegneria dell'Informazione, Elettronica e Telecomunicazioni - Sapienza Università di Roma |
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Tipologia dell'Ente | Academic |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Roma |
Codice postale | 00184 |
Indirizzo | Via Eudossiana, n. 18 |
Sito web | https://web.uniroma1.it/dip_diet/ |
daniela.micucci@uniroma1.it | |
Telefono | 0644585866 |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 17/12/2019 |
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Come candidarsi | Other |