Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazione TCAD e progetto VLSI di dispositivi Low Gain Avalanche Diode (LGAD) resistenti alla radiazione |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | TCAD simulation and VLSI design of radiation resistant Low Gain Avalanche Diode (LGAD) devices. |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Simulazione TCAD e progetto VLSI di dispositivi Low Gain Avalanche Diode (LGAD) resistenti alla radiazione |
| Descrizione sintetica in inglese | TCAD simulation and VLSI design of radiation resistant Low Gain Avalanche Diode (LGAD) devices. |
| Data del bando | 05/12/2019 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | https://www.unipg.it/ricerca/assegni-di-ricerca/bandi-e-procedure?layout=concorso&idConcorso=21353 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | UNIVERSITA' DEGLI STUDI DI PERUGIA - Dipartimento INGEGNERIA |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Perugia |
| Sito web | https://www.unipg.it/ricerca/assegni-di-ricerca |
| servizio.assegniricerca@unipg.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 07/01/2020 |
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| Come candidarsi | Other |