Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | “PON EleGaNTe - Electronics on GaN-based Technologies” |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | “PON EleGaNTe - Electronics on GaN-based Technologies” |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | Studio chimico-fisico di superfici ed interfacce di semiconduttori e ossidi innovativi per applicazioni in dispositivi RF. |
Descrizione sintetica in inglese | Physico-chemical surface and interface investigation of innovative semiconductors and oxides for RF device applications. |
Data del bando | 18/12/2019 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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Nome dell'Ente finanziatore | Consiglio Nazionale delle Ricerche |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Catania |
Sito web | http://www.imm.cnr.it |
segreteria@imm.cnr.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 10/01/2020 |
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