Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Transistori innovativi basati su semiconduttori bidimensionali e materiali ferroelettrici |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Innovative transistors based on two-dimensional semiconductors and ferroelectric materials |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca, che si inquadra all’interno di un progetto PRIN 2017 di recente approvazione, ha come obiettivo lo studio delle potenzialità e dei limiti di transistori basati su semiconduttori bidimensionali (Transition Metal Dichalcogenides - TMD), come possibile alternativa ai transitori CMOS per le applicazioni dell’elettronica digitale. In particolare, l’assegnista si occuperà della modellistica a livello TCAD di tali dispositivi. Aspetti che richiederanno particolare attenzione sono la modellazione della densità di stati bidimensionale e della mobilità dei portatori nel canale. Verranno quindi condotte estensive simulazioni volte all’ottimizzazione del dispositivo. Una speciale attenzione verrà dedicata allo studio del miglioramento del rapporto ION/IOFF tramite l’utilizzo di materiali ferroelettrici all’interno del “gate stack”, con lo scopo di aumentare la pendenza delle caratteristiche corrente-tensione sotto soglia. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research activity, which is part of a recently approved PRIN project, has the goal of investigating potential and limits of transistors based on two-dimensional semiconductors (Transition Metal Dichalcogenides - TMD), as possible alternative to CMOS transistors in digital electronics applications. In particular, the research fellow will be involved in the modelling of such devices at TCAD level. Aspects to be investigated first are the modelling of the two-dimensional density of states and of the channel mobility. Extensive simulations will be performed next, aimed at device optimization. Special attention will be devoted to the improvement of the ION/IOFF current ratio by means of ferroelectric materials within the gate stack, with the goal of increasing the slope of the current-voltage sub-threshold characteristics. |
| Data del bando | 19/12/2019 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| antonio.gnudi@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 22/01/2020 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |