Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo di modelli per l’analisi numerica del degrado dovuto allo stress elettrico e agli effetti termici in dispositivi MOSFET di potenza integrati in tecnologie Smart Power |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development of models for the numerical analysis of the electrical stress degradation and thermal effects in power MOSFET devices integrated in Smart Power technologies |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Applied physics |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Uno degli aspetti chiave nella progettazione dei dispositivi di potenza per nodi tecnologici di futura generazione è la loro affidabilità. Per questo motivo le prestazioni del dispositivo devono sempre essere ottimizzate considerando anche i problemi dati dall’intrappolamento di carica nell’ossido (stress da portatori caldi) e dagli effetti di auto-riscaldamento (degrado termico). A tal fine sono spesso usati stumenti di simulazione numerica, ma la modellistica TCAD per il calcolo delle variazioni di prestazione dovute allo stress elettrico è stata sviluppata per CMOS convenzionali e non risulta adeguata alla descrizione degli effetti fisici che si presentano in dispositivi di potenza. Una ulteriore incertezza è la dipendenza dalla temperatura locale quando si presenta un riscaldamento per effetto Joule. Tali aspetti saranno affrontati nell’ambito del progetto proposto sviluppando nuovi modelli fisici dei meccanismi di generazione delle trappole all’interfaccia. |
| Descrizione sintetica in inglese | One of the key challenges in building power devices in future technology platforms is their reliability. As a consequence, the device performance needs to be optimized addressing also the issues due to the charge trapping in the oxide (hot-carrier stress) and the self-heating effects (thermal degradation). To this purpose, numerical simulation tools are commonly used, but the TCAD modeling for the determination of the performance drifts due to electrical stress was developed for conventional CMOS devices and has been found to be inadequate for the description of the physical effects occurring in power devices. Another uncertainty of the device simulation model is the dependence on local temperature when localized self-heating occurs. Such aspects will be addressed in the proposed project by developing new physically-based models of the interface-trap generation mechanisms. |
| Data del bando | 19/07/2011 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO DI ECCELLENZA ARCES -CENTRO DI RICERCA SUI SISTEMI ELETTRONICI … |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| rmambelli@arces.unibo.it | |
| Telefono | +39 0547 339239 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 05/08/2011 - alle ore 00:00 |
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