Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Rivelatori di radiazione ionizzante a base di transistor a film sottile |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Ionizing radiation detectors based on high mobility oxide thin film transistors |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Condensed matter properties |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L'obiettivo principale del progetto è lo sviluppo di un prototipo di nuovi rivelatori di radiazioni ionizzanti basati su transistor a film sottile di ossido semiconduttore ad alta mobilità (HMSO) per applicazioni in controllo in tempo reale e riduzione dei rischi associati alla diagnostica medica e ai test industriali non distruttivi. L'attività di ricerca del ricercatore si concentrerà sulla fabbricazione di dispositivi HMSO con parametri ottimizzati per la rivelazione di radiazioni ionizzanti. Saranno studiati gli effetti delle radiazioni ionizzanti sul materiale dielettrico, sulle interfacce e sulle prestazioni dei rivelatori. Sono richieste competenze nella fabbricazione micro-nano di dispositivi flessibili a film sottile. Sono necessarie competenze nella caratterizzazione dei rilevatori di radiazioni dirette e sono apprezzate competenze nella modellizzazione del trasporto elettronico e della generazione e raccolta di cariche in dispositivi a film sottile. |
| Descrizione sintetica in inglese | The main objective of the project is the development of a prototype of novel ionizing radiation detectors based on high mobility semiconduting oxide (HMSO) thin film transistors for applications in real-time control and risk reduction associated with medical diagnostics and non-destructive industrial testing. The research activity of the researcher will be focused on the fabrication of HMSO devices with optimized parameters for the detection of ionizing radiation. The effects of ionizing radiation on the dielectric material, interfaces and performance of the detectors will be studied. Skills in micro-nano fabrication of thin-film flexible devices are required. Competences in the characterization of direct radiation detectors are necessary and expertise in the modeling of electronic transport and charge generation and collection in thin film devices is of interest. |
| Data del bando | 11/02/2020 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - DIPARTIMENTO DI FISICA E ASTRONOMIA |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| beatrice.fraboni@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 26/02/2020 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |