Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | H2020 FET Open OXiNEMS “Oxide Nanoelectromechanical Systems for Ultrasensitive and Robust Sensing of Biomagnetic Fields” - Bando SPIN AR 003-2020 GE |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | H2020 FET Open OXiNEMS “Oxide Nanoelectromechanical Systems for Ultrasensitive and Robust Sensing of Biomagnetic Fields” - Call SPIN AR 003-2020 GE |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Sviluppo di dispositivi nanoelettromeccanici (NEMS) dalle caratteristiche innovative e con nuove funzionalità, realizzati interamente con ossidi di metalli di transizione (OMT). Realizzazione di un prototipo di dispositivo NEMS ad altissima sensibilità per la detezione dei campi biomagnetici (dettagli su www.oxinems.eu) attraverso tecniche di fabbricazione di film sottili. Deposizione di OMT tramite ablazione laser pulsata e ottimizzazione delle loro proprietà fisiche e strutturali. Sviluppo di processi micro/nanolitografici per la fabbricazione di micro/nanostrutture con film e eterostrutture di OMT. |
| Descrizione sintetica in inglese | Development of nanoelectromechanical devices with innovative characteristics and new functionalities, entirely realized with transition metal oxides (TMO). Realization of a prototype of high-sensitivity NEMS device for the detection of biomagnetic fields (details on www.oxinems.eu) by means of thin film fabrication techniques. Deposition of TMO by pulsed laser ablation and optimization of their physical and structural properties. Development of micro/nanolithographic processes for the fabrication of micro/nanostructures. |
| Data del bando | 10/03/2020 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | https://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/9686_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 22.000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
A. Diploma di Laurea in Fisica o Scienze dei Materiali o Chimica o Ingegneria Elettronica o materie affini,conseguito secondo la normativa in vigore anteriormente al D.M. 509/99 o Laurea Specialistica/Magistrale (D.M. 5 maggio 2004), e Dottorato di Ricerca di durata minima triennale nelle medesime discipline. B. Esperienza nella deposizione di film sottili tramite tecniche fisiche di deposizione (physical vapor deposition), nella caratterizzazione morfologica e strutturale di film sottili tramite microscopia AFM, diffrazione a raggi X e analisi RHEED. Sarà altresì valutata positivamente l’esperienza nella fabbricazione di dispositivi con tecniche di micro o nanolitografia e nell’utilizzo/manipolazione di sostanze chimiche in camera pulita. C. Conoscenza della lingua inglese. D. Conoscenza di base della lingua italiana (solo per i candidati stranieri). |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
• Master Degree and PhD Degree in Physics, Materials Science, Chemistry, Electronic Engineering or similar topics; • Experience in thin film deposition by physical vapor deposition techniques, in the morphological and structural characterization of thin films by AFM microscopy, X-ray diffraction and RHEED analysis (required). Experience in the fabrication of devices with micro or nanolithography and in using/handling of chemicals in clean room environment will be positively evaluated. • good level of English and some knowledge of Italian. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Le candidature saranno valutate dal CNR-SPIN. I candidati ammessi dovranno sostenere un colloquio che si terrà il 28 APRILE 2020 alle ore 14.00 presso il Dipartimento di Fisica dell’Università di Genova, via Dodecaneso 33 16146 Genova. E' possibile sostenere il colloquio in videoconferenza. I candidati interessati dovranno dichiararlo per iscritto all'atto della sottomissione della domanda. Sulla richiesta dovranno dichiarare tutte le informazioni per effettuare il collegamento. Durante il collegamento i condidati dovranno esibire il proprio documento d'identità. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) |
The submitted applications will be evaluated by CNR-SPIN. A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that it will held on April 28, 2020 at 2.00 p.m. (local time) at Department of Physics – University of Genoa, via Dodecaneso 33 16146 Genova (Italy). It is possible to do the interview by videoconference, upon candidate request in written form sent with the application form. By request, the candidate must declare all the information to make the connection. During the connection, the candidate has to show a valid identity document. |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR Istituto Superconduttori, Materiali Innovativi e Dispositivi (SPIN) |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Genova |
| Sito web | http://www.spin.cnr.it |
| spin.recruitment@spin.cnr.it | |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 03/04/2020 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |