Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | PON CODICE ARS01_01007 – IN SIGLA DFM.AD001.252 “ELEGANTE -Electronics on GaN-based Technologies” – CUP B91G18000200005 BANDO AR NANOTEC 007-2020 BA |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | PON CODICE ARS01_01007 – IN SIGLA DFM.AD001.252 “ELEGANTE -Electronics on GaN-based Technologies” – CUP B91G18000200005 - CALL NANOTEC 007-2020 BA |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Condensed matter properties |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Deposizione e processing via plasmi di strati di GaN e sue leghe ternarie e quaternarie AlGaN e InAlGaN; analisi dei substrati di creascita (Al2O3, SiC, Si, GaN, AlN,...); passivaziopne plasmochimica di eterostrutture a base di GaN; caratterizzazione delle eterostrutture a base di GaN con tecniche di Spettroscopia Ellisometrica, Spettroscopia Raman, e microscopia a forza atomica |
| Descrizione sintetica in inglese | Deposition and Processing of GaN bsed materials including AlGaN, InAlGaN; analysis of interfaces and optimization of systems on various substrates of Al2O3, SiC, Si. Plasma passivation of GaN-based heterostructures. Caracterization of GaN-based heterostructures by spectroscopic ellipsometry, Raman Spectroscopy and atomic force microscopy. |
| Data del bando | 17/03/2020 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | https://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/9702_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 29.051 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 18 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
-diploma di Laurea in Scienza e Tecnologia dei Materiali -b) Comprovata conoscenza di materiali a base di GaN e di ossidi conduttori; conoscenze in deposizione di materiali e processi plasmochimici; conoscenza di metodi di screen printing; conoscenza della spettroscopia ellissometrica e spettroscopia Raman, conoscenza di metodi di analisi spettroelettrochimici. Esperienze di studio all’estero in team internazionali; esperienza di ricerca post-laurea; partecipazione a scuole scientifiche/workshop internazionali - conoscenza della lingua inglese |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
•Master degree in Materials Science and Technology •Expertise in GaN based materials; transperent conductive oxides; Plasma deposition and Plasma Processing, Screen Printing method, Spectroscopic Ellipsometry, Raman Spectroscopy, Impedance Spectroscopy, Spectroelectrochemical characterization; stage in research laboratories abroad and research experience post; participation to international schools on advanced atomic microscopies and workshops •good level of English and some knowledge of Italian |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Le candidature saranno valutate dal CNR-NANOTEC. I candidati ammessi dovranno sostenere un colloquio che si terrà il 28/04/2020 alle ore 10:00 presso la Sede CNR-NANOTEC di Bari, Via Amendola 122/D – BARI. E’ possibile sostenere colloquio in videoconferenza. I candidati interessati dovranno dichiararlo per iscritto all’atto della sottomissione della domanda. Sulla richiesta dovranno dichiarare tutte le informazioni per effettuare il collegamento. Durante il collegamento i candidati dovranno esibire il proprio documento d’identità. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) |
The submitted applications will be evaluated by CNR. A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that it will held on the 28 of April 2020 at 10:00 am, at CNR’s NANOTEC Institute Bari, Via Amendola 122/D – BARI (Italy). It is possible to do the interview by videoconference, upon candidate request in written form sent with the application form. By request the candidate must declare all the information to make the connection. During the connection the candidate has to show a valid identity document. |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto Nanotecnologia |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | BARI |
| Sito web | http://www.nanotec.cnr.it |
| ntec.recruitment@nanotec.cnr.it | |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 31/03/2020 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |