Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | PON-FESR Dispositivi elettronici basati su tecnologia GaN (EleGaNTe) bando AR.008.2020_NANOTEC LE |
---|---|
Titolo del progetto di ricerca in inglese | PON-FESR Electronics on GaN-based Technologies (EleGaNTe) vacancy call AR.008.2020_NANOTEC LE |
Campo principale della ricerca | Physics |
Sottocampo della ricerca | Applied physics |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | Il progetto EleGaNTe prevede lo studio di tecnologie abilitanti a base Nitruri per lo sviluppo di un sensore RADAR FMCW (Frequency Modulated Continuous Wave) anti-collisione, in grado di rilevare piccoli ostacoli per elicotteri che operano in condizioni critiche. Le attività progettuali prevedono la sintesi e caratterizzazione di eterostrutture innovative a base GaN e lo sviluppo di tecnologie di base per transistor normally-on in GaN operanti nelle onde millimetriche, o per strutture normally-off di potenza. Nell’ambito dell’assegno l’attività verterà principalmente sullo studio e caratterizzazione avanzata di materiali e strutture a larga gap con la messa a punto di protocolli di crescita innovativi ottimizzati per la realizzazione di dispositivi con funzionamento ad alta frequenza o per dispositivi ad alta potenza. |
Descrizione sintetica in inglese | Within the framework of the project ”EleGaNTe”, the research activity will focus on the study and implementation of components enabling technologies for the realization of a RADAR FMCW (Frequency Modulated Continuous Wave) sensor capable to detect small obstacles for helicopters operating in critical conditions. The project activities involve the synthesis and characterization of innovative GaN-based heterostructures and the development of basic technologies for normally-on GaN transistors operating in millimeter waves, or for normally-off power structures. The activity to be carried out in the frame of the grant will be mainly focus on the study and advanced characterization of materials and wide-gap structures with the development of innovative growth protocols optimized for the creation of devices with high frequency operation or for high power devices. |
Data del bando | 15/04/2020 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
E' richiesta mobilità internazionale? | no |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
Nazionalità dei candidati |
OTHER |
Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/9770_DOC_IT.pdf |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
More Experienced researcher or >10 yrs (Senior) |
---|---|
Importo annuale | 30000 |
Valuta | Euro |
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Valutazione dei titoli e prova colloquio |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | Assessment of the titles and interview |
Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Prova colloquio, per i soli candidati ammessi, il giorno 27 maggio 2020 alle ore 11 presso la Sede Principale di Lecce dell’Istituto NANOTEC del CNR, c/o Campus Ecotekne, Via Monteroni – 73100 Lecce. |
Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Interview, only for accepted applicants, on May 27th, 2020, at 11:00 a.m. (local time), at CNR’s NANOTEC Institute of Lecce, c/o Campus Ecotekne, Via Monteroni, 73100 Lecce (Italy). |
Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) |
---|---|
Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Lecce |
Codice postale | 73100 |
Indirizzo | c/o Campus Ecotekne, Via Monteroni |
Sito web | http://nanotec.cnr.it/ |
supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
---|
Data di scadenza del bando | 05/05/2020 - alle ore 00:00 |
---|---|
Come candidarsi | Other |