Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Realizzazione e caratterizzazione di dispositivi a film sottile di silicio |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Growth and characterisation of Si thin film devices |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca svolta in stretta collaborazione con il centro di ricerche ENEA di Portici, sarà focalizzata sulla deposizione di film sottili di silicio intrinseci e drogati tramite la tecnica Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). I materiali saranno caratterizzati attraverso misure di assorbimento ottico, misure di conducibilità di buio e sotto illuminazione e tramite spettroscopia Raman. Saranno realizzate celle solari di tipo p-i-n a singola e doppia giunzione. Tali celle saranno caratterizzate attraverso misure della caratteristica IV sotto illuminazione in condizioni standard (AM1.5G) e misure di efficienza quantica esterna. Verranno quindi valutate le prestazione di celle cresciute sui substrati nanostrutturati mediante processi di erosione ionica auto-organizzata (Ion Beam Sputtering-IBS) e confrontate con quelle ottenute su substrati di tipo commerciale |
| Descrizione sintetica in inglese | The research activity, performed in close cooperation with the ENEA research center in Portici, will be focused on deposition of doped and undoped Si thin films recurring to Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). The material will be characterised recurring to optical absorption spectroscopy, electrical conductivity both under dark and illuminated conditions, and Raman spectroscopy. In this way p-i-n Si solar cells with single and double junctions will be grown. The cells will be tested by determining the IV characteristic under standar (AM1.5G) illumination conditions and measurements of external quantum efficiency. The performance of standard cells will be compared with that of cells grown on substrates nanopatterned by self-organised ion beam sputtering (IBS) |
| Data del bando | 23/03/2012 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.unige.it/concorsi/assricerca/ |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 22947 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Dottorato di ricerca in Tecnologie Innovative, per Materiali sensori e Imaging. il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: http://www.unige.it/concorsi/assricerca/ Le domande e i CV spediti per e-mail non sono accettati |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | PhD in Innovative Technologies, Materials for Sensors and Imaging. Knowledge of Italian language. To apply for research grants fill out the forms available at the following address: http://www.unige.it/concorsi/assricerca/. Applications and CVs sent by e-mail are not accepted |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | valutazione dei titoli presentati e colloquio concernente gli argomenti previsti dal bando |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | evaluation of titles presented and interview on the subjects specified by the notice |
| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Genova |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | GENOVA |
| Codice postale | 16126 |
| Indirizzo | Via Balbi, 5 |
| Sito web | http://www.unige.it/concorsi/assricerca/ |
| assegnisti@unige.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 23/04/2012 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | http://www.unige.it/concorsi/assricerca/ |