Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | SVILUPPO DI TECNOLOGIE ABILITANTI PER COMPONENTI IN GAN, OPERANTI NELLE ONDE MILLIMETRICHE” NELL’AMBITO DEL PROGETTO PON-FESR “ELECTRONICS ON GAN-BASED TECHNOLOGIES (ELEGANTE)” -AR.010.2020_NANOTEC LE |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | “GaN components enabling technologies for the mm-wave frequency range” within the research Project “Electronics on GaN-based Technologies (EleGaNTe) - CALL AR.010.2020_NANOTEC LE |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Applied physics |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto EleGaNTe prevede lo studio di tecnologie abilitanti a base Nitruri per lo sviluppo di un sensore RADAR FMCW (Frequency Modulated Continuous Wave) anti-collisione, in grado di rilevare piccoli ostacoli per elicotteri che operano in condizioni critiche. Le attività progettuali prevedono la sintesi e caratterizzazione di eterostrutture innovative a base GaN e lo sviluppo di tecnologie di base per transistor normally-on in GaN operanti nelle onde millimetriche, o per strutture normally-off di potenza. Nell’ambito dell’assegno l’attività verterà principalmente sullo studio e lo sviluppo di micro/nano tecnologie di base per transistori normally-on in GaN, quali contatti, processi di trench e dielettrici di passivazione ottimizzati per la realizzazione di dispositivi funzionanti ad alta frequenza. L’attività prevede altresì la realizzazione di dispositivi di prova per la convalida di tutti gli step di processo. |
| Descrizione sintetica in inglese | Within the framework of the project ”EleGaNTe”, the research activity will focus on the study and implementation of components enabling technologies for the realization of a RADAR FMCW (Frequency Modulated Continuous Wave) sensor capable to detect small obstacles for helicopters operating in critical conditions. The project activities involve the synthesis and characterization of innovative GaN-based heterostructures and the development of basic technologies for normally-on GaN transistors operating in millimeter waves, or for normally-off power structures. The activity to be carried out in the frame of the grant will be mainly focused on the study and development of basic micro / nano technologies for normally-on GaN transistors, such as contacts, trench processes and passivation dielectrics optimized for the fabrication of high frequency operating devices. The activity also involves the realization of test devices for the validation of all process steps. |
| Data del bando | 23/04/2020 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/9804_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
More Experienced researcher or >10 yrs (Senior) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 30000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
a)diploma di Laurea in Fisica, Ingegneria Elettronica, Ingegneria delle telecomunicazioni o materie affini e curriculum professionale idoneo allo svolgimento di attività di ricerca; e titolo di Dottore di Ricerca in Fisica, o in Ingegneria dei Materiali, o in Ingegneria, o in Chimica, o in Nanoscienze/ Nanotecnologie o in materie affini di durata minima triennale b) Esperienza documentata almeno quinquennale su processi di micro/nano fabbricazione e studio e realizzazione di dispositivi elettronici, tecniche di caratterizzazione di dispositivi elettronici documentata anche da pubblicazioni scientifiche; c) conoscenza della lingua inglese; d) conoscenza della lingua italiana (per i candidati stranieri) |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
• Master’s Degree in Physics, Electronic Engineering, Telecommunications Engineering or related subjects, and professional cv of an adequate standard for the topic of research. • PhD in Physics, Electronic Engineering or Material Engineering, Chemistry, Nanoscience/Nanotechnologies or related subjects; • Documented experience of at least five years on micro/nano technology processes and study and realization of electronic devices, characterization techniques of electronic devices; • good level of English and some knowledge of Italian |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) |
La prova colloquio, per i candidati selezionati, avrà luogo il giorno 28 maggio 2020 alle ore 11 presso la Sede Principale di Lecce dell’Istituto NANOTEC del CNR, c/o Campus Ecotekne, Via Monteroni – 73100 Lecce; eventuali variazioni in ordine alla predetta data e/o luogo della prova saranno comunicate con le stesse modalità di cui sopra. In caso di prolungamento dell’emergenza sanitaria dovuta al COVID 2019 il colloquio si terrà in modalità telematica per tutti i candidati. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | the submitted applications will be evaluated by CNR. A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that it will held on 28th May, 2020, at 11:00 a.m. (local time), at CNR’s NANOTEC Institute of Lecce, c/o Campus Ecotekne, Via Monteroni, 73100 Lecce (Italy). It is possible to do the interview by videoconference |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR -Istituto NANOTEC |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | LECCE |
| Codice postale | 73100 |
| Indirizzo | c/o Campus Ecotekne, Via Monteroni |
| Sito web | http://www.nanotec.cnr.it |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it | |
| ntec.recruitment@nanotec.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 09/05/2020 |
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