Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione sperimentale e simulazione di dispositivi asemiconduttore per l'efficienza energetica |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Experimental characterization and modelling of semiconductor devices for energy efficiency |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto di ricerca mira, attraverso attività sperimentali e di simulazione, al modeling degli effetti termici e di degradazione che limitano l’affidabilità dei dispositivi elettronici a semiconduttore energeticamente efficienti. Verranno prese in considerazione diverse tecnologie per transistori di potenza. Tra queste i dispositivi MOSFET basati su silicio (Si) rappresentano una importante soluzione molto utilizzata nelle applicazioni di potenza grazie alle proprietà di affidabilità, semplicità del processo e costo contenuto. Inoltre, l’impiego in transistori di potenza di materiali con un maggior valore di banda proibita (bandgap), come il nitruro di gallio (3,49eV) ed il carburo di silicio (3,26eV), è di notevole interesse in quanto questi permettono di ottenere un più interessante compromesso fra resistenza nello stato ON e tensione di breakdown. |
| Descrizione sintetica in inglese | This research project aims at characterizing and modeling the physical mechanisms affecting the long-term reliability of semiconductor electron devices for applications in the field of energy efficiency. Different technologies will taken into consideration, including silicon-based discrete and integrated power MOSFETs, and power filed effect transistors based on innovative semiconductor technologies adopting wide-bandgap semiconductors such as Silicon Carbide and Gallium Nitride, allowing improved trade-off between parasitic ON-resistance and high-field breakdown. |
| Data del bando | 08/05/2020 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| claudio.fiegna@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
|---|
| Data di scadenza del bando | 26/05/2020 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |