Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | PROG.TTO EUROPEO HORIZON 2020 “3C-SiC” |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | PROG.TTO EUROPEO HORIZON 2020 “3C-SiC” |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il carburo di silicio (SiC) è un semiconduttore a banda larga che presenta diverse strutture cristalline. I dispositivi basati su SiC hanno il potenziale per rivoluzionare l'elettronica di potenza attraverso velocità di commutazione più elevate, minori perdite di potenza e possono operare a tensioni e temperature più elevate rispetto alle loro controparti in silicio. La forma cubica 3C-SiC è l'unica che può essere cresciuta su substrato in silicio. Una limitazione nello sviluppo di dispositivi su wafer 3C-SiC/Si è l’impossibilità di utilizzare temperature di attivazione del drogante normalmente utilizzate in 4H-SiC (~ 1600 °C) poiché la temperatura di fusione del substrato di silicio è di 1400 °C. In questa attività verranno studiate e implementate tecniche di attivazione "a freddo", mediante laser ad alta potenza UV, in grado di raggiungere alte temperature sulla superficie senza fondere il silicio. |
| Descrizione sintetica in inglese | Silicon carbide (SiC) is wide band gap semiconductor presenting different crystalline structures. Devices based on SiC have the potential to revolutionize power electronics through faster switching speeds, lower losses, higher operating voltages and temperature, relative to standard silicon-based devices. The cubic form 3C-SiC is the only one that can be grown on a Silicon substrate. One constraint to device processing on 3C-SiC/Si wafers is that it is not possible to use the activation temperature of dopant typically used in 4H-SiC (~1600°C) because the melting temperature of the silicon substrate is 1400°C. In this activity, "cold" activation techniques by using UV high power lasers annealing, able to reach high temperatures on the surface without melting the silicon, to dope 3C-SiC on silicon will be studied and implemented. |
| Data del bando | 07/07/2020 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Consiglio Nazionale della Ricerca |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Roma |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| segreteria.imm@artov.imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 21/07/2020 - alle ore 00:00 |
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