Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio multiscala di semiconduttori policristallini in presenza di difetti per applicazioni in dispositivi elettronici e fotovoltaici. |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Multiscale study of polycrystalline semiconductors in presence of defects for electronic and photovoltaic applications. |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Other |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | L’obiettivo della ricerca è di esplorare grain boundary (GB) di silicio, ed eventualmente di altri materiali semiconduttori di interesse applicativo, a diverse orientazioni, per un'analisi completa delle loro proprietà energetiche, elettroniche ed ottiche e del loro impatto sul meccanismo di segregazione dei vari tipi di impurezze e vacanze formantesi nella crescita e sull'attività elettrica del materiale e dei dispositivi. Intendiamo studiare i meccanismi fisici che regolano il trasporto di carica attraverso il Si policristallino sia in dispositivi di memoria che in celle fotovoltaiche. Per raggiungere questo obiettivo, intendiamo utilizzare una piattaforma di modellazione multiscala che si avvale di calcoli ab-initio (nell’ambito della teoria del funzionale densità, DFT) come input per la simulazione semi-classica del trasporto di carica nei dispositivi...omissis... |
| Descrizione sintetica in inglese | The aim of the research is to explore grain boundary (GB) of silicon, and eventually of other semiconductor materials of application interest, at different orientations, for a complete analysis of their energetic, electronic and optical properties and their impact on the mechanism of segregation of the various impurities and vacancies forming in the growth process and on the electrical activity of the material and devices. We intend to study the physical mechanisms that regulate charge transport through polycrystalline Si both in memory devices and in photovoltaic cells. To achieve this, we intend to use a multiscale modeling platform that makes use of ab initio calculations (in the context of density functional theory, DFT) as input for the semi-classical simulation of charge transport in devices. This multiscale method connects materials to devices. |
| Data del bando | 23/09/2020 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 27087 |
| Periodicità | 12 mesi |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://www.unimore.it/bandi/Assegni-bandi.html |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 22054 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 72 |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | procedura selettiva pubblica per titoli e colloquio |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | selective public procedure by qualifications and interview |
| Nome dell'Ente finanziatore | UNIMORE |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Academic |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | REGGIO EMILIA |
| Codice postale | 42121 |
| Indirizzo | V.le Allegri 9 |
| Sito web | http://www.unimore.it |
| ufficio.selezioneassunzione@unimore.it | |
| Telefono | 059/2056075-6447-7078-6072 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 08/10/2020 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |