Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione dei dielettrici utilizzati nei componenti elettronici di potenza |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Characterization of dielectrics used for the insulation of power electronic components |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | The research activity will be divided in four work packages: WP1: Characterization of dielectric materials in DC (resistivity measurements, space charge inception threshold). Measurements will be carried out at ambient temperature, but also at working temperatures. WP2: characterization of weak points in the insulation through partial discharge measurements carried out during ramped voltage tests. The WP will highlight both the failure modes and their associated partial discharge patter, WP3: accelerated life tests under thermo-electrical stress. The life tests shall highlight the relative likelihood of the failure modes observed in WP3. Also, it will be investigated whether frequency acceleration is feasible or not. WP4: development of TCAD models for the charge transport in silicon oxide. |
| Descrizione sintetica in inglese | Il lavoro sarà articolato in quatto Work Packages: WP1: caratterizzazione dei dielettrici utilizzati in DC (misure di resistività e soglia di iniezione della carica di spazio). Le misure saranno condotte sia a temperatura ambiente che a temperature di lavoro. WP2: caratterizzazione dei punti deboli dell'isolamento attraverso la misura delle scariche parziali condotta su dispositivi durante test a tensione crescente. Questo WP permetterà di osservare le modalità di guasto elettrico e i pattern di scariche parziali ad esse associati. WP3: prove di vita accelerate sotto stress termo-elettrico. Queste prove dovranno verificare la probabilità relativa di osservare i modi di guasto determinati nel WP2. Sarà inoltre verificata la possibilità di aumentare la frequenza dei test. WP4: sviluppo di un modello TCAD per il trasporto di carica nell'ossido di silicio |
| Data del bando | 29/09/2020 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| andrea.cavallini@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 22/10/2020 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |