Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | “Electronics on GaN-based Technologies” (ElaGaNTe) |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Electronics on GaN-based Technologies (EleGaNTE) |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Processi di deposizione di dielettrici a molecola organica/inorganica e di dry etch funzionali alla realizzazione di dispositivi HEMT |
| Descrizione sintetica in inglese | Deposition processes of organic/inorganic molecule dielectrics and dry etch for the production of HEMT devices |
| Data del bando | 28/10/2020 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Consiglio Nazionale della Ricerca |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Lecce |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| amministrazione@le.imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 23/11/2020 - alle ore 00:00 |
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