Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione e modellistica di dispositivi e amplificatori elettronici in GaN per applicazioni di potenza ad alta frequenza |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Titolo provvisorio |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto di ricerca ha come obiettivo lo studio di tecniche di caratterizzazione e modellistica per dispositivi e amplificatori elettronici a radiofrequenza realizzati in Nitruro di Gallio (GaN). In particolare, l’assegnista si occuperà di: sviluppare tecniche di wideband-load-pull basate su piattaforma di misura di tipo Vector Network Analyzier (VNA); di individuare modalità per la caratterizzazione della distorsione (EVM) di sistemi di amplificazione basati su digital-predistortion tramite piattaforme VNA; di sviluppare tecniche per la caratterizzazione sperimentale di dispositivi elettronici e amplificatori in bande e frequenze di interesse applicativo in ambito 5G e infine di caratterizzare dispositivi e amplificatori in GaN di diverse tecnologie innovative. |
| Descrizione sintetica in inglese | The Research project is aimed at the development of characterization and modelling techniques for high-frequency electronic devices and amplifiers based on Gallium-Nitride (GaN) technologies. In particular, the recipient researcher will deal with: the development of wideband-load pull characterization techniques based on the use of a Vector Network Analyzer (VNA) kind of measurement equipment; the study of distortion (EVM) evaluation in digitally-predistorted amplifiers by using VNA-kinds of equipment; the development of experimental characterization techniques for devices and amplifiers in the context of 5G electronic systems; the characterization of different devices and amplifiers based on GaN state-of-the-art technologies. |
| Data del bando | 04/11/2020 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI" |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| barbara.diplacido@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 25/11/2020 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |