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| Titolo del progetto di ricerca in italiano | PREPARAZIONE E CARATTERIZZAZIONE DI BUFFER LAYER DEPOSTATI PER VIA CHIMICA PER LA PREPARAZIONE DI COATED CONDUCTORS A BASE DI FERRO” - progetto PRIN 2017 HIBISCUS - PRIN 201785KWLE -Bando SPIN AR 001-2021 GE |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Deposition and characterization of buffer layers deposited via chemical routes for the fabrication of Fe-based coated conductors - Prj Hibiscus - PRIN 201785KWLE -Vac. CALL SPIN AR 001-2021 GE |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Applied physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca sarà dedicata allo sviluppo di coated conductors con architettura adatta per superconduttori a base di Fe. In particolare, ci si focalizzerà sullo sviluppo di buffer layer con alta orientazione e basso costo basati su metodi di chemical solution deposition (CSD) per la crescita di film epitassiali, come metal-organic decomposition (MOD) o polymer-assisted deposition (PAD). Il buffer layer verrà dapprima sviluppato e ottimizzato su cristalli singoli e poi cresciuto su substrati metallic biassialmente orientate. La qualità del buffer layer verrà testata tramite la deposizione di film superconduttori a base Fe. L’attività di ricerca includerà anche caratterizzazione morfologica e strutturale attraverso XRD, SEM, AFM oltre alla caratterizzazione elettrica e magnetica dei film superconduttori attraverso misure di resistività, corrente critica, VSM. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research activity will be devoted to the development of a coated conductor architecture suitable for Fe-based superconductors. In particular, the activity will be focused on the development of a highly oriented, low-cost buffer layer architecture based on chemical solution deposition methods (CSD) for epitaxial film growth, such as metal-organic decomposition (MOD) or polymer-assisted deposition (PAD). The buffer layer will be first developed and optimized on single-crystal substrate and then grown on biaxially-oriented metallic substrate. The suitability of the buffer layer architecture will be tested through deposition of a Fe-based superconducting film. The research activity will include structural and morphological characterization by means of XRD, SEM, AFM as well as an electrical and magnetic characterization of the superconducting films including resistivity measurement, critical current measurement, VSM. |
| Data del bando | 03/02/2021 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/10704_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 22000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
- Laurea e Dottorato di Ricerca di durata minima triennale in Scienza dei Materiali, Fisica, Chimica o materie affini; - Comprovata esperienza in tecniche di crescita di film sottili epitassiali ed eterostrutture su substrati metallici e della loro caratterizzazione strutturale, morfologica e spettroscopica; - Conoscenza della lingua inglese; - Conoscenza di base della lingua italiana |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
• Master Degree and PhD Degree in Material Science, Physics, Chemistry or related subjects; • Proven experience in deposition techniques of epitaxial thin films and heterostructures on metallic substrates and their structural / morphological / spectroscopic characterization • Good level of English and some knowledge of Italian. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | La prova colloquio, per i candidati selezionati, avrà luogo il giorno 4 MARZO 2021 alle ore 14:30 in collegamento telematico; eventuali variazioni in ordine alla predetta data e/o luogo della prova saranno comunicate con le stesse modalità di cui sopra |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) |
The submitted applications will be evaluated by CNR. A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that will be held on MARCH 4th, 2021 at 2:30 pm (local time) by videoconference. The candidate must declare all the information to make the connection. During the connection, the candidate has to show a valid identity document. |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR -Istituto SPIN |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | GENOVA |
| Codice postale | 16152 |
| Indirizzo | Corso Perrone 24 |
| Sito web | http://www.spin.cnr.it |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it | |
| spin.recruitment@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 18/02/2021 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |