Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Progettazione e realizzazione di dimostratori di convertitori switching innovativi per ACC e SSB - Studi relativi all’architettura del convertitore |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Design and construction of innovative switching converter demonstrators for ACC and SSB - Studies about converter architecture |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
Descrizione sintetica in italiano | L’obiettivo della ricerca è lo sviluppo di convertitori a commutazione innovativi destinati agli Apparati Centrali Computerizzati (ACC)e ai SottoSistemi di Bordo (SSB)per applicazioni ferroviarie. Tali convertitori dovranno rispondere ai requisiti di affidabilità e robustezza richiesti in ambito ferroviario e saranno basati, per la parte di potenza, sull’impiego di dispositivi di potenza di nuova generazione (Wide Band Gap) e, per la parte di controllo,sull’impiego di microcontrollori/DSP e circuiti digitali in logica programmabile (FPGA). L’assegno è destinato allo studio e alla realizz. di convertitori basati sull’impiego di dispositivi di potenza (MOSFET e Diodi di potenza) di nuova generazione in SiC e/oppure in GaN (semiconduttori Wide Band Gap). Saranno prese in considerazioni nuove topologie di conversione che meglio consentano di sfruttare le prestazioni dei suddetti dispositivi di potenza in termini di affidabilità ed efficienza del convertitore. |
Descrizione sintetica in inglese | The goal of the research is the development of innovative switching converters for Computerized Central Equipment (ACC) and on-Board SubSystems (SSB) for railway applications. These converters will have to meet the reliability and robustness requirements required in the railway sector and will be based, for the power part, on the use of new generation power devices (Wide Band Gap) and, for the control part, on the use of microcontrollers / DSP and digital circuits in programmable logic (FPGA). The research grant is intended for the study and construction of converters based on the use of new generation power devices (MOSFETs and power diodes) in SiC and / or GaN (Wide Band Gap semiconductors). New conversion topologies will be taken into consideration which will make it possible to better exploit the performance of the aforementioned power devices in terms of converter reliability and efficiency. |
Data del bando | 09/03/2021 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
E' richiesta mobilità internazionale? | no |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
Nazionalità dei candidati |
OTHER |
Sito web del bando | https://www.unicas.it/sia/bandi-gare-e-concorsi/bandi-di-concorso/assegni-di-ricerca/dipartimento-di-ingegneria-elettrica-e-dellinformazione.aspx |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
More Experienced researcher or >10 yrs (Senior) |
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Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale |
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Tipologia dell'Ente | Academic |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Cassino (FR) |
Sito web | http://www.unicas.it |
rettore@unicas.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 23/03/2021 |
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Come candidarsi | Other |