Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Progettazione e realizzazione di dimostratori di convertitori switching innovativi per ACC e SSB - Progettazione di circuiti elettronici |
---|---|
Titolo del progetto di ricerca in inglese | Design and construction of innovative switching converter demonstrators for ACC and SSB - Design of electronics circuits |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
Descrizione sintetica in italiano | L’obiettivo della ricerca è lo sviluppo di convertitori a commutazione innovativi destinati agli Apparati Centrali Computerizzati (ACC) e ai Sotto-Sistemi di Bordo (SSB) per applicazioni ferroviarie. Tali convertitori dovranno rispondere ai requisiti di affidabilità e robustezza richiesti in ambito ferroviario e saranno basati, per la parte di potenza, sull’impiego di dispositivi di potenza di nuova generazione (Wide Band Gap) e, per la parte di controllo, sull’impiego di microcontrollori/DSP e circuiti digitali in logica programmabile (FPGA). L’assegno di ricerca è destinato allo sviluppo di convertitori basati sull’impiego di dispositivi di potenza (MOSFET e Diodi di potenza) di nuova generazione in SiC e/oppure in GaN (semiconduttori Wide Band Gap). Sono previste attività per il dimensionamento, la simulazione circuitale, la realizzazione di circuiti e la caratterizzazione sperimentale dei prototipi realizzati. |
Descrizione sintetica in inglese | The goal of the research is the development of innovative switching converters for Computerized Central Equipment (ACC) and on-Board SubSystems (SSB) for railway applications. These converters will have to meet the reliability and robustness requirements required in the railway sector and will be based, for the power part, on the use of new generation power devices (Wide Band Gap) and, for the control part, on the use of microcontrollers / DSP and digital circuits in programmable logic (FPGA). The research grant is intended for the development of converters based on the use of new generation power devices (MOSFETs and power diodes) in SiC and / or GaN (Wide Band Gap semiconductors). Activities are planned for sizing, circuit simulation, circuit construction and experimental characterization of the prototypes made. |
Data del bando | 09/03/2021 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
E' richiesta mobilità internazionale? | yes |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
Nazionalità dei candidati |
OTHER |
Sito web del bando | https://www.unicas.it/sia/bandi-gare-e-concorsi/bandi-di-concorso/assegni-di-ricerca/dipartimento-di-ingegneria-elettrica-e-dellinformazione.aspx |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
---|
Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale |
---|---|
Tipologia dell'Ente | Academic |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Cassino (FR) |
Sito web | http://www.unicas.it |
rettore@unicas.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
---|
Data di scadenza del bando | 23/03/2021 |
---|---|
Come candidarsi | Other |