Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio dell’affidabilità di transistori GaN HEMT per applicazioni ad alte tensioni e dei materiali di incapsulamento |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Investigation of Reliability Issues of High-Voltage GaN-HEMTs and plastic materials for high-voltage IC packaging |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca proposta è focalizzata sullo studio dell’affidabilità e delle prestazioni di transistori GaN-HEMT per applicazioni nell’ambito della conversione di potenza in sostituzione dei MOSFET di silicio. Per ottenere tale risultato verrà affrontata un’attività dettagliata di simulazione di dispositivo, con sviluppo di modelli fisici e caratterizzazione estesa dell’affidabilità. In particolare, verranno studiate le proprietà elettriche dei materiali che attualmente vengono proposti per tali nuove tecnologie. Il setup di simulazione terrà conto della geometria, dei diversi stack di materiali e degli strati di incapsulamento finali. L’obiettivo principale di questa attività sarà quello di determinare e confrontare la stabilità delle prestazioni e l’affidabilità dei dispositivi GaN-HEMT al variare della geometria, della temperatura e dello stack di materiali. |
| Descrizione sintetica in inglese | The proposed research activity focuses on the investigation of reliability issues and achievable performance of GaN HEMTs for power conversion applications as replacement for Si-based MOSFETs. In this project, a detailed activity of devices simulations, physical modeling and reliability investigations will be addressed. The simulation decks of GaN-HEMTs will be set up by accounting for the geometry, the different stacks of materials, the layers of passivation encapsulation materials on top. More specifically, the electrical properties of the materials which are nowadays proposed for such new technologies will be addressed. The main goal will be the determination and comparison of performance stability and robustness of the devices for different geometries, temperatures, and material stacks. |
| Data del bando | 22/07/2021 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| susanna.reggiani@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 21/09/2021 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |