Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio delle proprietà di trasporto e di affidabilità di transistori HFET in AlScN/GaN per applicazioni ad alte tensioni ed alte frequenze |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study of the transport properties and reliability of AlScN/GaN HFETs for high-voltage high-frequency applications |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca proposta è focalizzata sullo studio delle prestazioni e dell’affidabilità di transistori GaN-HFET realizzati con un nuovo materiale emergente per la barriera, l’AlScN, al posto del più convenzionale AlGaN. In questo progetto verrà affrontata un’attività dettagliata di simulazione di dispositivo, con sviluppo di modelli fisici del trasporto di carica e del degrado. Verranno predisposte le simulazioni numeriche di dispositivi con eterostrutture di AlScN/GaN considerando gli effetti della geometria, dello stack dei materali e degli strati di passivazione ed incapsulamento. In particolare, verranno studiate le proprietà elettriche dei materiali che attualmente vengono proposti per tali nuove tecnologie. |
| Descrizione sintetica in inglese | The proposed research activity focuses on the investigation of achievable performance and reliability issues of GaN-HFETs realized with a novel material for the barrier structure, i.e., the AlScN, as replacement for the usual AlGaN. In this project, a detailed activity of devices simulations, physical modeling and reliability investigations will be addressed. The simulation decks of power GaN FETs with AlSCN/GaN heterostructures will be set up by accounting for the geometry, the different stacks of materials, the layers of passivation encapsulation materials on top. More specifically, the electrical properties of the materials which are nowadays proposed for such new technologies will be addressed. |
| Data del bando | 07/10/2021 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| susanna.reggiani@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
|---|
| Data di scadenza del bando | 24/10/2021 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |