Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Affidabilità e fisica dei meccanismi di guasto di transistor ad elevata mobilità in nitruro di gallio operanti a radiofrequenza per applicazioni spaziali |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Reliability and failure physics of radiofrequency Gallium Nitride HEMTs for space applications |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto prevede la valutazione di High Electron Mobility Transistors (HEMTs) AlGaN/GaN per applicazioni a radiofrequenza mediante la progettazione e l'esecuzione di diverse prove di affidabilità. |
| Descrizione sintetica in inglese | The project involves the evaluation of High Electron Mobility Transistors (HEMTs) AlGaN / GaN for radiofrequency applications through the design and execution of various reliability tests. |
| Data del bando | 08/10/2021 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
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| Paesi di residenza dei candidati |
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| Nazionalità dei candidati |
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| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione-Università degli Studi di Padova |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| zanoni@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 25/10/2021 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |