Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | GaN4AP |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | GaN4AP |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Atomic Layer Deposition" di materiali isolanti su nitruro di gallio bulk ed eterostrutture basate su nitruri |
| Descrizione sintetica in inglese | Atomic Layer Deposition "of insulating materials on nitride bulk gallium and nitride-based heterostructures |
| Data del bando | 16/12/2021 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
More Experienced researcher or >10 yrs (Senior) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Consiglio Nazionale delle Ricerche |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Catania |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| amm@imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 10/01/2022 - alle ore 00:00 |
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