Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Bando 126.247.AR223 - Studio di semiconduttori mediante assorbimento transiente ad attosecondi |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Call 126.247.AR223 - Study of semiconductor materials by attosecond x-ray spectroscopy. |
Campo principale della ricerca | Physics |
Sottocampo della ricerca | Other |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE |
Descrizione sintetica in italiano | Titoli richiesti: Laurea in Fisica o Ingegneria Fisica o Scienza dei Materiali o affini, conseguita secondo la normativa in vigore anteriormente al D.M. 509/99, oppure della Laurea Specialistica/ Magistrale (D.M. 05/05/04); Esperienza almeno biennale in un laboratorio di ricerca sperimentale, comprovata da pubblicazioni su riviste scientifiche indicizzate ISI. Esperienza nel campo delle sorgenti laser a femtosecondi e tecniche di compressione di impulsi ultrabrevi; competenze di generazione di armoniche di ordine elevato; esperienza di spettroscopia ultraveloce; competenze di Fisica della Materia, Fisica Atomica e Molecolare, Ottica non lineare. Attività scientifica da svolgere: Sviluppare la tecnologia e il know-how per misure di assorbimento transiente risolte in tempo in materiali caratterizzati da transizioni di fase topologiche con impulsi isolati ad attosecondi fino a 1 keV. Esperimenti su campioni di semiconduttori. |
Descrizione sintetica in inglese | Requested titles: Master degree in Physics or Physical Engineering or Materials Science, and related topics. At least two years of experience in an experimental research laboratory proven by publications in ISI indexed scientific journals. Experience in the field of femtosecond laser sources and ultra-short pulse compression techniques; experience in high order harmonic generation; experience of ultrafast spectroscopy; skills in Physics of Matter, Atomic and Molecular Physics, Non-linear Optics. Scientific activity: Development of the technology and know-how for time-resolved transient absorption measurements in materials characterized by topological phase transitions with isolated attosecond pulses up to 1 keV. Benchmark experiments on semiconductor materials. |
Data del bando | 17/12/2021 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
Stanziamento annuale (indicativo) | 19367 |
Periodicità | annuale |
E' richiesta mobilità internazionale? | yes |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
Nazionalità dei candidati |
OTHER |
Sito web del bando | https://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/11998_DOC_IT.pdf |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
Importo annuale | 19367 |
Valuta | Euro |
Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
Comprende vitto e spese di viaggio | no |
Comprende il costo della ricerca | no |
Altri costi in italiano | I costi della ricerca sono sostenuti dall'Istituto IFN CNR |
Altri costi in inglese | The research costs are sustained by the Institute IFN CNR |
Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Una Commissione, nominata dal Direttore dell’Istituto, procede alla selezione mediante la valutazione dei titoli e un colloquio. La Commissione dispone complessivamente di 100 punti, di cui 50 punti per la valutazione dei titoli e 50 punti per il colloquio. È previsto un punteggio minimo di 25 punti nella valutazione dei titoli per essere ammessi al colloquio. È inoltre previsto un punteggio minimo di 35 punti per il superamento del colloquio. |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | A Committee, nominated by the Director of the Institute, can assign a total of 100 points to the applicants, of which 50 points attributed by examining the qualifications presented and 50 points attributed by the interview, supported by the rules established by the committee, to assess the candidate's aptitude for research. Candidates who reach the threshold value of 25/50 points in the evaluation of the application are admitted to the interview. To pass the interview, a threshold value of 35/50 points must be reached. |
Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Una Commissione esamina i titoli presentati dai candidati. I candidati ammessi sono sottoposti ad un colloquio. |
Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | A Committee examines the titles of the candidates. The candidates admitted will be submitted to an interview. |
Nome dell'Ente finanziatore | Ist. di Fotonica e Nanotecnologie del CNR |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Milano |
Codice postale | 20133 |
Indirizzo | p.le Leonardo da Vinci 32 |
Sito web | http://www.ifn.cnr.it |
ida.ruffoni@ifn.cnr.it | |
Telefono | 3382230591 |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 14/01/2022 |
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Come candidarsi | ida.ruffoni@ifn.cnr.it |