Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio dell’affidabilità di transistori wide-bandgap per applicazioni ad alte tensioni e modellistica dei materiali di incapsulamento |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study of the reliability of wide-bandgap transistors for high-voltage applications and modeling of packaging materials. |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca proposta è focalizzata sullo studio delle prestazioni e dell’affidabilità di transistori GaN-HFET e/o SiC-MOSFET realizzati con nuovi materiali o architetture. In questo progetto verrà affrontata un’attività dettagliata di simulazione di dispositivo, con sviluppo di modelli fisici del trasporto di carica e del degrado. Solo alcuni studi limitati sono stati effettuati sui meccanismi fisici e le proprietà dei materiali delle plastiche usate per l’incapsulamento di circuiti integrati di potenza. In questo progetto verranno studiati l’effetto di accumulo di carica e della polarizzazione nei composti plastici e i materiali verranno caratterizzati ad alti campi elettrici, alta temperatura e con umidità. |
| Descrizione sintetica in inglese | The proposed research activity focuses on the investigation of achievable performance and reliability issues of GaN-HFETs and/or SiCMOSFETs realized with novel materials and architectures. In this project, a detailed activity of device simulations, physical modeling and reliability investigations will be addressed. Little analysis has been reported so far on the physical mechanisms and material features of the plastic compounds used for the IC encapsulation of power circuits. In this project, the effect of charging and polarization of molding compounds and their characterization at high electric fields, high temperature and humidity conditions will be addressed. |
| Data del bando | 16/02/2022 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| susanna.reggiani@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 03/04/2022 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |