Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | H2020 FET Open OXiNEMS “Oxide Nanoelectromechanical Systems for Ultrasensitive and Robust Sensing of Biomagnetic Fields” G.A. n.828784 (CUP B56C18002980006) - Bando SPIN AR 005-2022 GE |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | H2020 FET Open OXiNEMS “Oxide Nanoelectromechanical Systems for Ultrasensitive and Robust Sensing of Biomagnetic Fields” G.A. n.828784 (CUP B56C18002980006) - Bando SPIN AR 005-2022 GE |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Tema della ricerca: "Sviluppo di dispositivi nanoelettromeccanici (NEMS) dalle caratteristiche innovative e con nuove funzionalità, realizzati interamente con ossidi di metalli di transizione (OMT). Realizzazione di un prototipo di dispositivo NEMS ad altissima sensibilità per la detezione dei campi biomagnetici (dettagli su www.oxinems.eu) attraverso tecniche di fabbricazione di film sottili. Deposizione di OMT tramite ablazione laser pulsata e ottimizzazione delle loro proprietà fisiche e strutturali. Sviluppo di processi micro/nanolitografici per la fabbricazione di micro/nanostrutture con film e eterostrutture di OMT". Si richiede capacità nel gestire e ottimizzare in autonomia i processi di deposizione e le attività di microfabbricazione. L’assegnista parteciperà anche alla progettazione e alla caratterizzazione optomeccanica delle microstrutture stesse. Saranno possibili brevi soggiorni di ricerca presso i partner del progetto stesso. |
| Descrizione sintetica in inglese | Research Theme: "Development of nanoelectromechanical devices with innovative characteristics and new functionalities, entirely realized with transition metal oxides (TMO). Realization of a prototype of high-sensitivity NEMS device for the detection of biomagnetic fields (details on www.oxinems.eu) by means of thin film fabrication techniques. Deposition of TMO by pulsed laser ablation and optimization of their physical and structural properties. Development of micro/nanolithographic processes for the fabrication of micro/nanostructures". The ability to manage and optimize autonomously the deposition processes and the microfabrication activities is required. The research fellow will also participate in the design and optomechanical characterization of the same microstructures. Short research stays with the project partners will be possible |
| Data del bando | 06/05/2022 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | https://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/12549_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 22.000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
A.Diploma di Laurea in Fisica o Scienza dei Materiali o Chimica o Ingegneria Elettronica o materie affini, conseguita secondo la normativa in vigore anteriormente al D.M. 509/99 o Laurea Specialistica/Magistrale (D.M. 5 maggio 2004) e titolo di Dottore di Ricerca nelle medesime discipline di cui sopra, di durata almeno triennale. B.Comprovata esperienza nella crescita di film sottili tramite tecniche fisiche di deposizione (physical vapor deposition) e nella caratterizzazione morfologica e strutturale di film sottili. Nella valutazione sarà attribuito particolare rilievo all’esperienza nell’uso di microscopi a scansione, di diffrattometri a raggi X e nella fabbricazione di dispositivi a film sottile con tecniche microlitografiche. C.Conoscenza della lingua inglese. D.Conoscenza di base della lingua italiana (solo per i candidati stranieri) |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
• Master Degree and PhD Degree in Physics, Material Science, Chemistry, Electronic Engineering or related subjects; • Proven experience in thin film growth by physical vapor deposition techniques, in the morphological and structural characterization of thin films is required. Experience in the use of scanning probe microscopes, X ray diffractometers and in the fabrication of thin film devices with microlithographic techniques will be positively evaluated. • good level of English and some knowledge of Italian. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Le candidature saranno valutate dall’Istituto CNR-SPIN. I candidati ammessi dovranno sostenere un colloquio che si terrà il 4 LUGLIO 2022 alle ore 10.00 in video collegamento. Per il colloquio in videoconferenza devono essere comunicate tutte le informazioni necessarie per effettuare il collegamento, durante il quale i candidati dovranno esibire lo stesso documento d'identità personale in corso di validità già allegato in copia alla domanda di partecipazione. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) |
The submitted applications will be evaluated by CNR-SPIN. A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that will be held on JULY 4, 2022 at 10.00 a.m. (Italian local time) by videoconference. The candidate must declare all the information to make the connection. During the connection, the candidate has to show a valid identity document. |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR Istituto Superconduttori, Materiali Innovativi e Dispositivi (SPIN) |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Genova |
| Sito web | https://www.spin.cnr.it |
| spin.recruitment@spin.cnr.it | |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 14/06/2022 |
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| Come candidarsi | Other |