Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Crescita epitassiale e studio di ossidi semiconduttori ad ampia bandgap per elettronica a basso consumo di energia |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Epitaxial growth and characterisation of wide bandgap semiconducting oxides for energy-saving electronic applications |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | L'elettronica di potenza di automobili elettriche, inverter, raddrizzatori, centrali di commutazione ecc. necessita di convertitori ad alta efficienza e basse perdite. Tale perdite si manifestano in special modo nei transienti on-off dei transistor usati in tali convertitori. Servono nuovi tipi di semiconduttori in grado di ridurre queste perdite e realizzare un'elettronica più sostenibile. Gli ossidi semiconduttori ad alta bandgap (esempio Ga2O3) sono molto adatti a questo scopo perchè hanno alte tensioni di breakdown e alta Baliga FOM, ben superiore a quella di Silicio o composti semiconduttori come SiC e GaN. L'attività da svolgere comprende la crescita epoitassiale di film di ossidi, la loro caratterizzazione fisica e lo sviluppo e fabbricazione di semplici dispositivi tipo diodi Schottky e transistor a effetto di campo (FET). |
| Descrizione sintetica in inglese | Electrical autos, PV inverters, electrical line hubs etc., require efficient converters with low intrinsic losses. Energy losses are especially pronounced during the on-off transients of the power transistors used in converter fabrication. A new generations of semiconductors is needed, capable of working at higher voltages, reducing losses. Semiconducting oxides are very promising in this sense, in particular Gallium Oxide (Ga2O3). Thanks to the very high breakdown voltage and Baliga figure of merit, they exhibit performance well beyond that of Silicon or compound semiconductors such as GaN and SiC. The planned activity concerns development of high-quality oxide epilayers, as well as the collaboration to fabrication of Schottky diodes and field effect transistors (FET), including the study of material physical properties, device design and simulation, prototype fabrication. |
| Data del bando | 08/09/2022 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | https://unipr.it/node/17500 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Parma |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Parma |
| Codice postale | 43121 |
| Indirizzo | Via Università n. 12 |
| Sito web | http://www.unipr.it |
| concorsiassegniricerca@unipr.it | |
| Telefono | 0521034259 |
| Telefono | 0521034173 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 27/09/2022 |
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| Come candidarsi | https://pica.cineca.it/unipr/2022assegniricerca064/ |