Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Modellazione TCAD di Dispositivi Elettronici di Potenza ad alte prestazioni. |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | TCAD Modeling of Power Electronic Devices with high performances. |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
| Descrizione sintetica in italiano | L’obiettivo principale dell’attività di ricerca consisterà in: I compiti di ricerca riguarderanno lo studio e lo sviluppo di dispositivi elettronici di potenza a semiconduttore. In aggiunta allo studio e alla progettazione di dispositivi basati sul silicio (Si), la ricerca sarà fortemente incentrata su componenti emergenti realizzati con semiconduttori ad ampio band gap, quali carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN). Nello specifico, sarà importante studiare le prestazioni di tali dispositivi, sia in condizioni di funzionamento nominali che estreme al fine di caratterizzarne rispettivamente l’efficienza e i limiti di funzionamento. Sarà richiesto di approfondire lo studio sia tramite simulazioni circuitali ed agli elementi finiti, che tramite prove sperimentali. |
| Descrizione sintetica in inglese | The main goal of the research activity will consist in: The research tasks will concern the study and development of semiconductor power electronic devices. In addition to the study and design of silicon (Si) -based devices, research will be heavily focused on emerging components made with wide band gap semiconductors, such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN). Specifically, it will be important to study the performance of these devices, both in nominal and extreme operating conditions in order to characterize their efficiency and operating limits, respectively. It will be required to deepen the study both through circuit and finite element simulations, and through experimental tests. |
| Data del bando | 16/09/2022 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 30.000 |
| Periodicità | 12 mesi |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://albo ufficiale www.unina.it ; www.dieti.unina.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 22.448 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Nome dell'Ente finanziatore | University of Naples “Federico II” - Department of Electrical Engineering and Information Technologies (DIETI) |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Naples |
| Codice postale | 80125 |
| Indirizzo | Via Claudio 21 |
| Sito web | http://www.unina.it ; www.dieti.unina.it |
| sole@unina.it | |
| Telefono | 0817683216 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 07/10/2022 - alle ore 00:00 |
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