Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Bando 126.247.AR240 - Progettazione, realizzazione e caratterizzazione di gate sub-micrometrici per lo sviluppo di dispositivi amplificatori in banda X su nitruro di gallio, mediante tecniche di microfabbricazione e di litografia elettronica. |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Call 126.247.AR240 - Design, fabrication and characterization of sub- micrometric gate contact for developing of gallium nitrade X-band amplifiers by microfabrication techniques and electron-beam lithography |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Other |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE |
| Descrizione sintetica in italiano | Titoli richiesti: Laurea in Fisica, Scienza dei Materiali, Ingegneria Elettronica, Ingegneria delle telecomunicazioni, Ingegneria Aerospaziale o affini, conseguita secondo la normativa in vigore anteriormente al D.M. 509/99, oppure della Laurea Specialistica/Magistrale (D.M. 05/05/04); ottima conoscenza della lingua inglese. Titoli preferenziali: Esperienza di lavoro in clean room. Esperienza nella fabbricazione e caratterizzazione elettrica di dispositivi. Esperienza in microscopia elettronica e a forza atomica. Conoscenza dei software CAD. Pubblicazioni scientifiche. Attivita’ di ricerca: Sviluppo del processo di fabbricazione di HEMT in GaN con lunghezza di gate 0.15um per la realizzazione di un dimostratore per SSPA in banda X, in collaborazione con una fonderia GaN. Ottimizzazione dei processi tecnologici a film sottile per la fabbricazione dei dispositivi per la realizzazione del contatto di gate, sulle strutture epitassiali selezionate. |
| Descrizione sintetica in inglese | Requested titles: Master degree in Physics, or Material Science or Electronics Engeneering or Telecommunications Engineering or Aerospace Engineering or similar, as defined by D.M. 509/99 and D.M May 5, 2004, or an equivalent foreign qualification; fluency in English. Preferential titles: Expertise in working in clean room environment. Expertise in device fabrication and characterization. Expertise in scanning electron microscopy and atomic force microscopy. CAD software knowledge. Scientific publications. Research activity: developing of the fabrication process of GaN HEMT with gate length 0.15μm, for a X-band SSPA demonstrator, in collaboration with a GaN foundry. Optimization of thin-film technologies for the fabrication of devices, including electronic lithography (EBL) for the realization of the gate contact, on the selected epitaxial structures. |
| Data del bando | 07/10/2022 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 19367 |
| Periodicità | 12 mesi |
| E' richiesta mobilità internazionale? | yes |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | https://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/13118_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 19367 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | yes |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Altri costi in italiano | I costi della ricerca sono sostenuti dall'Istituto IFN CNR. |
| Altri costi in inglese | The research costs are sustained by the Institute IFN CNR. |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Una Commissione, nominata dal Direttore dell’Istituto, procede alla selezione mediante la valutazione dei titoli e un colloquio. La Commissione dispone complessivamente di 100 punti, di cui 50 punti per la valutazione dei titoli e 50 punti per il colloquio. E’ previsto un punteggio minimo di 25 punti nella valutazione dei titoli per essere ammessi al colloquio. È inoltre previsto un punteggio minimo di 35 punti per il superamento del colloquio. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | A Committee, nominated by the Director of the Institute, can assign a total of 100 points to the applicants, of which 50 points attributed by examining the qualifications presented and 50 points attributed by the interview, supported by the rules established by the committee, to assess the candidate's aptitude for research. Candidates who reach the threshold value of 25/50 points in the evaluation of the application are admitted to the interview. To pass the interview, a threshold value of 35/50 points must be reached. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) |
Una Commissione esamina i titoli presentati dai candidati. I candidati ammessi sono sottoposti ad un colloquio. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | A Committee examines the titles of the candidates. The candidates admitted will be submitted to an interview. |
| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto di Fotonica e Nanotecnologie del CNR |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Rome |
| Codice postale | 00133 |
| Indirizzo | via Fosso del Cavaliere 100 |
| Sito web | http://www.ifn.cnr.it |
| ida.ruffoni@ifn.cnr.it | |
| Telefono | 3382230591 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 27/10/2022 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | ida.ruffoni@ifn.cnr.it |