Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo di strumenti per la progettazione e caratterizzazione di laser a semiconduttore integrati sulla piattaforma Silicon Photonics - Rif. 422/2022-AR |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Developments of methods and tools for the design and characterization of semiconductor lasers integrated in silicon photonics platform - Rif. 422/2022-AR |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
Descrizione sintetica in italiano | Il Programma di Ricerca si concentra sullo sviluppo di metodi di modellizazione e di progettazione di diodi laser integrati nella piattaforma tecnologica Silicon Photonics. L'obiettivo è la progettazione e realizzazione di laser a semiconduttore basati su Reflective SOA commerciali accoppiati (con metodo butt-coupling) ad un circuito integrato fotonico che funge da riflettore ottico esterno per la cavità laser. Il dispositivo così realizzato può essere impiegato come laser accordabile a riga stretta per comunicazioni ottiche, per la generazione di optical frequency combs con basso tasso di ripetizione o per la generazione di regimi caotici per comunicazioni ottiche sicure bassate su criptografia. Alcuni dei dispositivi progettati vengono realizzati in fonderie esterne e caratterizzati in Laboratorio presso il Centro Interdipartimentale Photonext. |
Descrizione sintetica in inglese | The research program focuses on the development of tools for modelling and designing laser diodes for integration in silicon photonics platform. The aim is the design and realization of semiconductor lasers based on commercial reflective SOA butt-coupled with a photonic integrated circuits that works as external reflector of the laser cavity. This device can be employed as a narrow linewidth tunable laser for optical communication, for generation of optical frequency combs at low repetition rates or for the generation of chaotic signals for secure optical communication based on cryptography. Some of the designed devices will be realized in external foundries and characterized in the laboratory of the Interdepartmental Centre Photonext. |
Data del bando | 23/12/2022 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
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Paesi di residenza dei candidati |
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Nazionalità dei candidati |
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Sito web del bando | https://careers.polito.it/ |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Il bando e la modulistica per partecipare alla valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://careers.polito.it/ |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | To apply for research grants fill out the form available at the following address: https://careers.polito.it/ |
Nome dell'Ente finanziatore | Politecnico di Torino |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Torino |
Sito web | http://www.polito.it/ |
PEPS.AssegniDiRicerca@polito.it | |
Telefono | +39 0110907593 |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 12/01/2023 |
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Come candidarsi | https://careers.polito.it/ |