Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Transistor ad elevata mobilità in nitruro di gallio: connessione tra struttura epitassiale, caratteristiche elettriche e affidabilità |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors: the link between epitaxial structure, electrical characteristics and reliability |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | Le attività previste riguardano la valutazione sperimentale di dispositivi GaN HEMT, l'effettuazione di prove elettriche e ambientali, l'analisi e l'intrepretazione dei risultati delle misure elettriche sui dispositivi. Il candidato deve dimostrare una buona conoscenza della fisica dei dispositivi a semiconduttore, inclusi i dispositivi a eterogiunzione. |
Descrizione sintetica in inglese | The project aims to evaluate different solutions for electron confinement and the reduction of short channel effects in gallium nitride high electron mobility transistors (HEMTs). Moreover, we will study the link between the epitaxial structure and the electrical performance and reliability of the devices. Different devices will be evaluated, with variants related to the use of backbarriers, or to compensation with Fe and/or C doping. |
Data del bando | 08/03/2023 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
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Paesi di residenza dei candidati |
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Nazionalità dei candidati |
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Sito web del bando | https://www.dei.unipd.it/bandi |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informaziomne |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Padova |
Sito web | https://www.dei.unipd.it/ |
enrico.zanoni@unipd.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 23/03/2023 - alle ore 00:00 |
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Come candidarsi | Other |