Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazione numerica degli effetti del package su dispositivi a semiconduttore per applicazioni ad alte tensioni |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Numerical simulation of Package Influences on High-Voltage Semiconductor FETs |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’evoluzione verso l'integrazione di dispositivi ad alta e bassa tensione nello stesso package per realizzare sistemi di potenza compatti ed aumentare la frequenza spinge verso nuove configurazioni (ad esempio, stacked dies) per i quali non esistono ancora studi accurati di affidabilità. Solo alcuni studi limitati sono stati effettuati sui meccanismi fisici, le proprietà dei materiali e gli aspetti di progetto che possono causare tali danni. In questo progetto, diverse architetture e materiali verranno simulati con uno strumento commerciale di TCAD. L’effetto di accumulo di carica e della polarizzazione verranno studiati con riferimento alle specifiche e proprietà dei composti plastici e degli altri materiali utilizzati nell’incapsulamento. Il risultato principale di questa attività sarà una panoramica degli effetti di accoppiamento tra package e dispositivo ad alta tensione al variare di materiali con diverse proprietà, tecnologia del dispositivo ed archiettura del package. |
| Descrizione sintetica in inglese | The current trend towards increasing the integration of high-voltage devices and low-voltage circuits within one package to realize compact power systems and/or increase operation frequency drives new configurations (e.g. stacked dies) for which no reliability study has been published yet. Little analysis has been reported on the physical mechanisms, material features and design aspects that drive them. In this project, the different designs and models will be simulated in a commercial device TCAD tool. The effect of charging and polarization will be studied with respect to the specifications and properties of molding compound and other packaging materials. The expected outcome of the project is an overview of package to high-voltage die coupling effects versus modeled material properties, die technology and package design. |
| Data del bando | 25/05/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO DI ECCELLENZA ARCES -CENTRO DI RICERCA SUI SISTEMI ELETTRONICI … |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| elena.bazzocchi@unibo.it | |
| Telefono | +39 0547 339239 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 12/06/2012 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |