Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione sperimentale dell’affidabilità di transistori di potenza a semiconduttore ad ampio bandgap |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Experimental characterization of the reliability of wide bandgap semiconductor power transistors |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto di ricerca mira alla caratterizzazione sperimentale dei meccanismi di degrado che limitano l’affidabilità di transistori di potenza al nitruro di gallio (GaN) e carburo di silicio (SiC) per applicazioni in settori in pieno sviluppo quali automotive ed energie rinnovabili. L'attività prevista si prefigge i seguenti obiettivi: 1) lo sviluppo e la validazione di tecniche di stress e caratterizzazione elettrica; 2) la caratterizzazione sperimentale dei meccanismi di degrado in transistori di potenza in GaN e SiC; 3) lo sviluppo di modelli fisici/empirici volti a interpretare e riprodurre lo stato di invecchiamento dei transistori; 4) lo sviluppo di una metodologia di simulazione che tenga conto di effetti di degrado, compatibile con gli strumenti TCAD di progettazione delle tecnologie elettroniche utilizzati in ambito industriale. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research project aims at characterizating the degradation mechanisms limiting the reliability of gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) power transistors for automotive and renewable energy applications. The research activity has the following objectives: 1) development and validation of accelerated stress tests; 2) experimental characterization of degradation mechanisms occurring in GaN and SiC power transistors; 3) development of physics-based and/or empirical models aimed at interpreting and reproducing the aging state of transistors; 4) development of a simulation methodology, taking into account degradation effects and compatible with TCAD tools for the design of electronic technologies used in the industrial sector. |
| Data del bando | 27/09/2023 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| a.tallarico@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | HE |
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| Data di scadenza del bando | 15/10/2023 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |