Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazione numerica e sviluppo di modelli di trasporto elettronico per in-materia computing devices |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Numerical simulation and model development for electronic transport in in-material computing devices |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto mira alla modellazione e alla simulazione predittiva di dispositivi di calcolo in-materia basati su reti di droganti. Lo strumento principale che verrà utilizzato è il modello di drift-diffusion, che sarà ottimizzato specificatamente per questa classe di dispositivi. Per modellare il trasporto elettronico nelle reti di droganti, saranno implementati opportuni modelli di mobilità di hopping con la corretta dipendenza dalla temperatura e dal campo elettrico, e il software sarà esteso con la possibilità di definire configurazioni casuali discrete dei droganti. Verranno utilizzati sia software in-house che commerciali e, ove necessario, verranno aggiunti nuovi modelli utilizzando le API software esistenti. I modelli sviluppati verranno applicati ai dispositivi basati sul silicio prodotti dai partner del progetto e confrontati con i dati di misurazione sperimentali. Il lavoro viene svolto nell'ambito del progetto PRIN italiano "DONORS". |
| Descrizione sintetica in inglese | The project aims at modelling and predictive simulation of dopant-network based reservoir computing devices. The main tool that will be used is the drift-diffusion model, which will be specifically optimised for this class of devices. In order to model electronic transport in dopant networks, suitable hopping mobility models with the proper temperature and electric field dependence will be implemented, and the software will be extended with the possibility to define discrete random dopant configurations. Both in-house and commercial software will be used, and new models will be added where necessary using existing software APIs. The developped models will be applied to silicon-based devices produced by the project partners, and benchmarked against experimental measurement data. The work is performed in the frame of the Italian PRIN project "DONORS". |
| Data del bando | 20/11/2023 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | https://pica.cineca.it/uniroma2/ |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | UNIVERSITA' DEGLI STUDI DI ROMA TOR VERGATA - DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRONICA |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | ROMA |
| Sito web | https://pica.cineca.it/uniroma2/ |
| assegni.ricerca@amm.uniroma2.it | |
| Telefono | 0672592344 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 05/12/2023 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | https://pica.cineca.it/uniroma2/ |