Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Magnetic Nanowires for High Density Non Volatile Memories - MAGWIRE |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Magnetic Nanowires for High Density Non Volatile Memories - MAGWIRE |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Realizzazione di processi litografici per dispositivi nel campo della spintronica |
| Descrizione sintetica in inglese | Realization of lithographic processes for spintronic devices |
| Data del bando | 08/05/2012 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto per la Microelettronica e Microsistemi |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Catania |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| anna.grazioli@mdm.imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
|---|
| Data di scadenza del bando | 28/05/2012 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |