Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Affidabilità e progettazione integrata di circuiti smart power basati su dispositivi GaN |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Reliability analysis and IC design of GaN-based smart power circuits |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L'obiettivo principale di questo progetto di ricerca è l’analisi dell'affidabilità dei transistori di potenza basati su Nitruro di Gallio (GaN) in determinate condizioni operative e sviluppare, sulla base dei risultati ottenuti, un progetto di circuito integrato smart power sfruttando al massimo le potenzialità di tali dispositivi in termini di prestazioni e affidabilità. I risultati attesi sono: • Un'approfondita comprensione dell'affidabilità dei dispositivi GaN in particolari condizioni operative. • Design di un circuito integrato smart power efficiente e affidabile basato su tecnologia GaN. • Contributi alla ricerca nel campo dell'elettronica di potenza e della tecnologia GaN. Complessivamente, questo progetto di ricerca unisce gli aspetti cruciali dell'affidabilità dei dispositivi GaN con la progettazione avanzata di circuiti smart power, offrendo un contributo significativo alla crescita e all'innovazione nell'ambito dell'elettronica di potenza. |
| Descrizione sintetica in inglese | The main objective of this research project is to analyze the reliability of Gallium Nitride (GaN) based power transistors under specific operating conditions and, based on such outcomes, design and develop an integrated smart power circuit exploiting the potential of these devices in terms of performance and reliability. Expected results are: • A comprehensive understanding of GaN device reliability under specific operating conditions. • Design of an efficient and reliable smart power integrated circuit based on GaN technology. • Contributions to research in the fields of power electronics and GaN technology. Overall, this research project combines critical aspects of GaN device reliability with advanced smart power circuit design, providing a significant contribution to the growth and innovation in the field of power electronics. |
| Data del bando | 07/12/2023 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| a.tallarico@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | HE |
|---|
| Data di scadenza del bando | 29/02/2024 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |