Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | FABBRICAZIONE E CARATTERIZZAZIONE DI DISPOSITIVI TRANSISTOR AD EFFETTO DI CAMPO BASATI SU SEMICONDUTTORI 2D |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF FIELD EFFECT TRANSISTORS BASED ON 2D MATERIALS |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Systems engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
| Descrizione sintetica in italiano | l/La candidato/a sarà responsabile della progettazione e fabbricazione di dispositivi elettroni a due terminali e su transistor ad effetto di campo, realizzati su differenti tipologie di substrati, e basati su semiconduttori 2D. Il/La candidato/a ideale ha comprovata esperienza nella fabbricazione di dispositivi in elettronica organica e flessibile tramite tecniche di fabbricazione a larga area, come fotolitografia e/o inkjet printing. Il/La candidato/a si occuperà inoltre del design e ottimizzazione di sensori di gas basati sui dispositivi precedentemente realizzati e supporterà il team di ricerca nella fase di caratterizzazione dei dispositivi, al fine di verificarne le prestazioni elettriche (tensioni operative, principali figure di merito dei transistor) e come sensori (sensibilità, accuratezza, selettività). |
| Descrizione sintetica in inglese | The candidate will be responsible for the design, fabrication and characterisation of electronic devices, two terminals or field effect transistors, realised on different kinds of substrates, based on 2D materials. The candidate should possess an evident experience in the fabrication and characterisation of flexible electronic devices by means of large area technologies as photolithography and/or inkjet printing. The candidate will also work on the design of gas sensor based on the previously developed structures and will support the research team in the characterisation of all the fabricated devices, in order to estimate the electrical performances (working voltages, and main transistors parameters) and sensors (sensitivity, accuracy, selectivity).. |
| Data del bando | 20/12/2023 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | https://dirpersonale.unica.it/concorsi/index.php?page=assegni |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università di Cagliari |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Cagliari |
| Sito web | http://www.unica.it |
| piero.cosseddu@unica.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 19/01/2024 |
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| Come candidarsi | Other |