Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | PRIN 2022 - GAMESQUAD- "GAte-induced Microscopic Effects on Superconducting QUantum Devices - BANDO NANO AR 01-2024 PI |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | PRIN 2022 - GAMESQUAD- "GAte-induced Microscopic Effects on Superconducting QUantum Devices - CALL NANO AR 01-2024 PI |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Fabbricazione e caratterizzazione mediante tecniche a microonde di nanostrutture superconduttive sottoposte a intensi campi elettrici statici |
| Descrizione sintetica in inglese | Fabrication and characterization in the microwave domain of superconducting nanostructures under strong static electric fields |
| Data del bando | 15/01/2024 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/15623_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 22.000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 16 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Requisiti richiesti: a)Laurea Specialistica/Magistrale in Fisica o in Scienza dei Materiali o in Ingegneria Elettronica; b)Dottorato di ricerca in Fisica o in Scienza dei Materiali o in Ingegneria Elettronica c)Conoscenze pregresse di fisica della materia condensata, tecniche di fabbricazione, data analisi e di misura elettrica quasistatica (dc) e ad alta frequenza (microonde); d)Conoscenza della lingua inglese; |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
•Master degree in Physics or in Material Science or in Electronic Engineering •PhD degree in Physics or in Material Science or in Electronic Engineering •Background in condensed matter physics, basics of nanofabrication, data analysis and electrical measurements both in the quasi-static regime (dc) and in the high frequency domain (microwave) •Good level of English and some knowledge of Italian |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Le candidature saranno valutate dal CNR-NANO. I candidati ammessi dovranno sostenere un colloquio che si terrà il 13/02/2024 alle ore 15:00 in videocollegamento. Sulla richiesta dovranno dichiarare tutte le informazioni per effettuare il collegamento. Durante il collegamento i candidati dovranno esibire il proprio documento d’identità. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) |
The submitted applications will be evaluated by CNR. These candidates will be invited for an interview that it will held on 13th February 2024 at h. 15:00 p.m. (local time) (VIDEOCONFERENCE) During the connection the candidate has to show a valid identity document |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto Nanoscienze (NANO) |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | PISA |
| Codice postale | 56127 |
| Indirizzo | Piazza San Silvestro 12 |
| Sito web | http://www.nano.cnr.it |
| nano.recruitment@nano.cnr.it | |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 29/01/2024 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |