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| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazioni TCAD di celle di protezione da scariche elettrostatiche integrate in tecnologia Smart Power ed analisi delle prestazioni |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | TCAD simulations of ESD protection cells in Smart Power technology and performance analysis |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto proposto riguarda lo sviluppo di strumenti di simulazione applicati al comportamento elettrotermico di celle di protezione da ESD per applicazioni ad alta tensione. In particolare, alcuni dispositivi già presenti in letteratura, come il transistore SCR-LDMOS , mostrano una condizione di snapback ottimale e una altissima robustezza al danneggiamento termico, ma mostrano caratteristiche di tensione di holding troppo basse per trovare una giusta applicazione in tecnologie con tensioni nominali superiori a 20V. Esistono inoltre altri aspetti di analisi, relativi ai diversi tempi di stress elettrico, che richiedono l’uso di simulazioni numeriche per una corretta interpretazione fisica. Per tale motivo lo studio proposto sarà affrontato utilizzando prevalentemente la simulazione numerica con dominio 2D in modo da comprendere a fondo la causa delle condizioni di rottura o fallimento dei dispositivi SCR-LDMOS più promettenti. |
| Descrizione sintetica in inglese | In this project the development of software tools for the simulation of the electrothermal behavior of ESD protection cells for high-voltage applications will be addressed with different approaches. More specifically, some already available devices, as the SCR-LDMOS transistor do feature optimal snapback and they represent a very desirable trade-off between area and robustness, but they suffer of a very low holding voltage which is not suitable for the protection of smart-power technologies with nominal voltages larger than 20 V. There are also other issues related to the different stress time durations, which need to be investigated and checked with numerical simulations for a correct physical understanding. To this purpose, numerical simulations in 2D domain will be addressed in order to understand the root-cause of the SCR-LDMOS failure conditions under different stress conditions. |
| Data del bando | 09/02/2024 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| susanna.reggiani@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 21/03/2024 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |