Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo di metodi tight-binding empirici per semiconduttori disordinati |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development of empirical tight-binding methods for disordered semiconductors |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
| Descrizione sintetica in italiano | L'obiettivo del progetto di ricerca è lo sviluppo e l'applicazione di metodi tight-binding empirici per la simulazione multiscala di dispositivi basati su alloy e eterostrutture a semiconduttori, in particolare III-V. Le attività prevedono (1) il miglioramento di un codice esistente, scritto in Fortran, per migliorare la predittività e l'efficienza numerica del metodo, (2) l'implementazione di un approccio di parametrizzazione e la riparametrizzazione dei materiali III-V e III-nitruri basato su calcoli DFT (3) l'implementazione di aggiuintivi modelli fisici per il calcolo di proprietà spin-dependent e magnetici. Inoltre verrà migliorata l'interfaccia con un codice di simulazione multiscala in-house, scritto in C++. I codici implementati verrano applicati su sistemi III-Sb e III-nitride. |
| Descrizione sintetica in inglese | The objective of the research project is the development and the application of empirical tigh-binding methods for the simulation of devices based on disordered alloys and heterostructures, in particular from III-V materials. The activities include (1) the improvement of an existing Fortran tight-binding code regarding predictivity and numerical efficiency, (2) the implementation of a paramterization approach and the paramterization of III-V and III-nitride materials, based on DFT calculations, and (3) the implementation of additional models in order to calculate spin-dependent and properties and magnetic effects. Moreover, the interface with an in-house C++ based multiscale simulation tool will be improved. The implemented tools will be applied to III-Sb and III-nitride devices. |
| Data del bando | 14/02/2024 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | https://pica.cineca.it/uniroma2/ |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Roma Tor Vergata - Dipartimento di Ingegneria Elettronica |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | roma |
| Sito web | https://pica.cineca.it/uniroma2/ |
| assegni.ricerca@amm.uniroma2.it | |
| Telefono | 0672592344 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 29/02/2024 |
|---|---|
| Come candidarsi | https://pica.cineca.it/uniroma2/ |