Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Bando IOM AR 10-2024 PG PRIN PNRR Sviluppo di dispositivi elettronici ad elevata efficienza energetica basati su materiali ferroelettrici innovativi |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Call IOM AR 10-2024 PG PRIN PNRR Development of High Energy Efficient Electronic Devices Based on Innovative Ferroelectric Materials |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività si concentrerà in particolare sulla misura e la simulazione di FET a capacità negativa (NC-FET). In particolare l’attività di ricerca si focalizzerà sulle seguenti attività: • Sviluppo di modelli di simulazione avanzati per NC-FET -sviluppo di modelli TCAD per la descrizione dei materiali ferroelettrici -simulazioni 2D/3D di NC-FETs per la validazione del modello, • design, produzione e test di NC-FETs ad alta efficienza. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research activity will focus on measurements and simulations of negative capacitance (NC)- FET. In particular the research activity will focus on the following areas of research: • Development of advanced simulation model for NC-FETs, -development of TCAD numerical models for the description of ferroelectric materials -2D/3D domain simulations of NC-FETs for model validation purposes, • design, production, and test of high energy efficient NC-FETs. |
| Data del bando | 20/05/2024 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | https://www.urp.cnr.it/search?search_fulltext=169827 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Importo annuale | 19367 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Diploma di Laurea Vecchio Ordinamento/Specialistica o Magistrale in Fisica o in Ingegneria; Conoscenza avanzata di programmi di simulazione elettrica di dispositivo; Conoscenza di misure elettriche di strutture di test e sensori con probe station; Conoscenza della lingua inglese; Conoscenza della lingua italiana (solo per i candidati stranieri). |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Master’s degree in Physics or Engineering; Advanced knowledge of programs for electrical device simulations; Knowledge of electrical measurements of test structures and sensors with probe station; Good level of English and some knowledge of Italian. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Per i candidati selezionati la prova colloquio avrà luogo il giorno 28 giugno 2024 alle ore 15.00, presso la sala videoconferenza al terzo piano del Dipartimento di Fisica, via Alessandro Pascoli, 06123 - Perugia |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Selected candidates will be invited for an interview that will be held on the June 28, 2024 at h. 3.00 P.M. (local time) c/o Physics Department (videoconference room, third flour), Perugia University, via Alessandro Pascoli, 06123 - Perugia |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR Istituto Officina dei Materiali |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Perugia |
| Sito web | https://www.iom.cnr.it/ |
| iom.recruitment@iom.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 10/06/2024 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | protocollo.iom@pec.cnr.it |