Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Progettazione e caratterizzazione di carrier attivi per SiPM con tecnologia CMOS 130nm per la realizzazione di fotosensori ad alta integrazione |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Design and characterization of silicon active carriers for SiPM with 130 nm CMOS technology for the production of highly integrated photo-sensors |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | BC n. 26850/2024 - E' indetto un concorso pubblico per titoli ed esame colloquio per n. 1 assegno Junior Fascia 1 per la collaborazione ad attività di ricerca tecnologica da usufruire presso i Laboratori Nazionali del Gran Sasso dell'I.N.F.N. finanziato dal PNRR nell’ambito del Progetto P2022WLRWP, CUP I53D23005820001(Missione [4] Componente [C2] Investimento [1.1]), per il seguente tema di ricerca: “Progettazione e caratterizzazione di carrier attivi per SiPM con tecnologia CMOS 130nm per la realizzazione di fotosensori ad alta integrazione” “Design and characterization of silicon active carriers for SiPM with 130 nm CMOS technology for the production of highly integrated photo-sensors” |
| Descrizione sintetica in inglese | BC n. 26850/2024 - E' indetto un concorso pubblico per titoli ed esame colloquio per n. 1 assegno Junior Fascia 1 per la collaborazione ad attività di ricerca tecnologica da usufruire presso i Laboratori Nazionali del Gran Sasso dell'I.N.F.N. finanziato dal PNRR nell’ambito del Progetto P2022WLRWP, CUP I53D23005820001(Missione [4] Componente [C2] Investimento [1.1]), per il seguente tema di ricerca: “Progettazione e caratterizzazione di carrier attivi per SiPM con tecnologia CMOS 130nm per la realizzazione di fotosensori ad alta integrazione” “Design and characterization of silicon active carriers for SiPM with 130 nm CMOS technology for the production of highly integrated photo-sensors” |
| Data del bando | 14/06/2024 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 20419 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | yes |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | https://jobs.dsi.infn.it/index.php?tipo=Assegno%20di%20ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 20419 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Altri costi in italiano | Al fine di favorire la mobilità dei ricercatori, i vincitori e le vincitrici dell'assegno di ricerca tecnologica che abbiano conseguito la laurea di secondo livello in una Provincia o Città Metropolitana diversa da quella della sede di destinazione dell'assegno, beneficeranno di un incentivo economico aggiuntivo, purché non risultino residenti o non abbiano avuto il domicilio o borse di studio o altri assegni di ricerca erogati dall'INFN o da altre istituzioni scientifiche nei tre anni antecedenti alla sottoscrizione del contratto nella Provincia o Città Metropolitana della sede di destinazione. Il suddetto incentivo economico aggiuntivo potrà essere erogato per una durata massima di 3 anni. |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
I candidati e le candidate devono essere in possesso della laurea di secondo livello in Ingegneria elettronica (o titolo equivalente conseguito all'estero) conseguita da non più di 6 anni e di curriculum tecnico-professionale idoneo per lo svolgimento di attività di ricerca, che contempli un periodo di almeno ventiquattro mesi di specifica esperienza professionale o di ricerca tecnologica post-laurea in: - sviluppo elettronica integrata per SiPM, - progettazione di alimentatori per fotorivelatori |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) |
La commissione esaminatrice dispone complessivamente di n. 100 punti così ripartiti: • 30 punti per i titoli; • 70 punti per l'esame-colloquio. Sono idonei all’ammissione in graduatoria unicamente le candidate e i candidati che soddisfino entrambi i seguenti parametri: • Votazione di almeno 49/70 all’esame/colloquio. • Votazione minima totale non inferiore a 70 punti. La graduatoria finale verrà pubblicata alla pagina web del bando e, in ogni caso, i candidati interessati e le candidate interessate riceveranno tramite e-mail un'ulteriore comunicazione dell'esito del concorso. |
| Nome dell'Ente finanziatore | INFN - Istituto Nazionale di Fisica Nucleare |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Frascati |
| Sito web | https://www.ac.infn.it/ |
| ac.dru.assegni.borse@lists.infn.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 29/06/2024 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |