Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio e progettazione di macchine per il testing di dispositivi elettronici di potenza in SiC con tensioni fino a 3.3 kV |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study and design of machines for testing SiC power electronic devices with voltages up to 3.3 kV |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| G.S.D. | 09/IINF-01 - ELETTRONICA |
| S.S.D | IINF-01/A - Elettronica |
| Descrizione sintetica in italiano | Studio e progettazione di setup sperimentali per il testing e la caratterizzazione di MOSFET in carburo di silicio (SiC) per applicazioni di potenza, con tensioni fino a 3.3 kV. Il SiC è essenziale per le applicazioni di potenza grazie alle sue proprietà superiori. La sua banda proibita più ampia consente dispositivi più efficienti ad alta tensione e temperatura, migliorando l'affidabilità. Tali dispositivi sono i componenti fondamentali nei circuiti di potenza e sono impiegati nei settori dell’avionica, della conversione energetica e dell’automotive. L’attività di ricerca si concentrerà sulla progettazione di macchine di test avanzate (Corto circuito, UIS, switching, ecc) tramite l’utilizzo di software per la progettazione di PCB, simulazioni SPICE e TCAD di MOSFET innovativi in SiC con tensione di blocco nominale fino a 3.3 kV. L’attività di ricerca sarà inoltre incentrata sulla calibrazione di modelli SPICE di diverse famiglie di MOSFET in SiC da 3.3kV. |
| Descrizione sintetica in inglese | Study and design of experimental setups for testing and eharacterizing Silicon Carbide (SiC) MOSFETs for power applications with voltages up to 3.3 kV. SiC is essential for power applications due to its superior properties. Its wider bandgap allows for more efficient high-voltage and high-temperature devices, improving reliability. These devices are fundamental components in power circuits and are used in avionics, energy conversion, and automotive sectors. The research activity will focus on the design of advanced test machines (short circuit, UIS, switching, etc.) using PCB design software, SPICE simulations, and TCAD of innovative SiC MOSFETs with a nominai blocking voltage of up to 3.3 kV. Additionally, the research will center on the calibration of SPICE models for different families of 3.3 kV SiC MOSFETs |
| Data del bando | 24/09/2024 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 36.082 |
| Periodicità | 12 mesi |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.unina.it/documents/11958/62020601/IETI_AR_2024_47-Bando.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 27.000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Nome dell'Ente finanziatore | Univesity of Naples Federico II |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Napoli | Naples |
| Codice postale | 80125 |
| Indirizzo | VIA CLAUDIO 21 |
| Sito web | http://www.dieti.unina.it |
| Sito web | http://www.unina.it |
| partecipazionebandi.dieti@unina.it | |
| Telefono | 0817683216 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | HE |
|---|
| Data di scadenza del bando | 16/10/2024 |
|---|---|
| Come candidarsi | partecipazionebandi.dieti@unina.it |