Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo di perovskiti Stagno-Piombo ed utilizzo di materiali 2D per ingegneria delle interfacce |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development of Lead-Tin perovskite and use of two-dimensional interface engineering |
| G.S.D. | 09/IINF-01 - ELETTRONICA |
| S.S.D | IINF-01/A - Elettronica |
| Descrizione sintetica in italiano | La ricerca, parte del progetto GOPV, riguarda lo sviluppo di nuove perovskiti ibride Stagno-Piombo e sull’utilizzo di materiali bidimensionali (2D) per migliorare le prestazioni e la stabilità dei dispositivi fotovoltaici. Le perovskiti Sn-Pb offrono un’alta capacità di assorbimento della luce grazie al bandgap modulabile e presentano un minore impatto ambientale rispetto alle tradizionali perovskiti a base di piombo puro. Tuttavia, la loro instabilità chimica e la suscettibilità alla ricombinazione non radiativa richiedono una strategia avanzata di ingegnerizzazione delle interfacce. Il progetto propone l’integrazione dei materiali 2D, che agiscono come strati interfaccia tra le perovskiti e gli strati di trasporto, con lo scopo di migliorare la passivazione dei difetti, ridurre la migrazione ionica e aumentare la stabilità a lungo |
| Descrizione sintetica in inglese | The research, part of the GOPV project, focuses on the development of new hybrid Tin-Lead perovskites and the use of two-dimensional (2D) materials to improve the performance and stability of photovoltaic devices. Sn-Pb perovskites offer a high light absorption capacity due to their tunable bandgap and have a lower environmental impact compared to traditional lead-based perovskites. However, their chemical instability and susceptibility to non-radiative recombination require advanced interfacial engineering strategies. The project proposes the integration of 2D materials, which act as interfacial layers between the perovskites and transport layers, to enhance defect passivation, reduce ionic migration, and increase long-term stability. Various deposition approaches and architectural |
| Data del bando | 22/10/2024 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://pica.cineca.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Roma Tor Vergata - Dipartimento di Ingegneria Elettronica |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | roma |
| Sito web | https://pica.cineca.it/uniroma2/ |
| assegni.ricerca@amm.uniroma2.it | |
| Telefono | 0672592344 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 11/11/2024 |
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| Come candidarsi | https://pica.cineca.it/uniroma2/ |