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| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Reliability Study and Performance Analysis of GaN-HEMTs for High-Voltage and High-Frequency Applications |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Reliability Study and Performance Analysis of GaN-HEMTs for High-Voltage and High-Frequency Applications |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L'attività proposta riguarda l'affidabilità e i meccanismi di degrado dei dispositivi HEMT basati su GaN per applicazioni ad alta tensione e frequenza. Questo progetto si focalizzerà principalmente sulle eterostrutture AlGaN/GaN e su dispositivi che adottano materiali diversi di barriera, come l'AlScN, per migliorare le proprietà elettriche quali la densità di potenza e la transconduttanza. Un obiettivo chiave sarà lo studio di vari test di affidabilità, con l'inclusione dei test in condizioni di tensione in inversa ad alta temperatura (HTRB) e della massima durata operative ad alta temperatura (HTOL), e i test effettuati a gradini di tensione per identificare i modi di fallimento in condizioni operative estreme. Il ruolo dei meccanismi di intrappolamento di carica, di polarizzazione, e di degrado da elettroni caldi o termico saranno studiati attraverso simulazioni numeriche di dispositivo avanzate con una modellistica fisica accurata, eventualmente sviluppata per tale obiettivo. |
| Descrizione sintetica in inglese | The proposed research will focus on the reliability and performance degradation mechanisms of GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) for high-voltage and high-frequency applications. This project will particularly address AlGaN/GaN HEMTs and devices featuring alternative barrier materials, such as AlScN, to enhance electrical properties like power density and transconductance. A key objective will be the study of various reliability tests and stress conditions, including High Temperature Reverse Bias (HTRB), High Temperature Operating Life (HTOL), and step-stress testing, to characterize the long-term performance and identify failure modes under harsh operating conditions. The role of trapping effects, polarization charges, and degradation due to high electric fields and thermal stress will be investigated through detailed TCAD simulations, modeling key physical phenomena impacting device reliability. |
| Data del bando | 10/12/2024 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| susanna.reggiani@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 09/01/2025 - alle ore 23:59 |
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| Come candidarsi | Other |