Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | GaN ad Alta Frequenza per l’Elettronica di Potenza: Miglioramento dell'Efficienza e Gestione delle EMI per Applicazioni nel Settore Consumer e Industriale |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | High-Frequency GaN Power Electronics: Enhancing Efficiency and EMI Management in Consumer and Industrial Applications |
| G.S.D. | 09/IINF-01 - ELETTRONICA |
| S.S.D | IINF-01/A - Elettronica |
| Descrizione sintetica in italiano | Questo progetto esplora lo sviluppo di sistemi di alimentazione basati su GaN, con un focus sulle applicazioni nell’elettronica di consumo e industriale. Basandosi sul primo cluster del progetto GaN4AP, mira a migliorare l’efficienza e la conversione di potenza. Operando a frequenze più elevate e raggiungendo densità di potenza superiori rispetto alle controparti in silicio, i transistor GaN consentono progetti più compatti, efficienti e termicamente stabili. Un aspetto chiave per l’assegnista di ricerca sarà affrontare la sfida della mitigazione delle interferenze elettromagnetiche (EMI) nei circuiti GaN ad alta frequenza, poiché le EMI possono influire negativamente sulle prestazioni dei dispositivi, specialmente in ambienti elettronici densamente popolati. |
| Descrizione sintetica in inglese | This project explores the development of GaNbased power supply systems with a focus on applications in consumer and industrial electronics. Building on the first cluster of the GaN4AP project, it aims to enhance efficiency and power conversion. By operating at higher frequencies and achieving greater power densities than silicon-based counterparts, GaN transistors enable more compact, efficient, and thermally stable designs. A key focus for the research fellow will be the challenge of mitigating electromagnetic interference (EMI) in high-frequency GaN circuits, as EMI can adversely affect device performance, especially in densely populated electronic environments. This project will investigate innovative EMI reduction techniques, integrating advanced filtering methods, the use of non-linear inductors, and layout optimization to comply with stringent regulatory standards. |
| Data del bando | 05/12/2024 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 32.000 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE OTHER |
| Sito web del bando | http://www.unipa.it/albo.html |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Importo annuale | 32.000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Palermo |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Palermo |
| Codice postale | 90133 |
| Indirizzo | P.zza Marina, 61 |
| Sito web | https://www.unipa.it/servizi/assegnidiricerca/ |
| stefania.crifasi@unipa.it | |
| Telefono | 09123893126 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
|---|
| Data di scadenza del bando | 04/01/2025 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | pec@cert.unipa.it |