Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | TCAD study of the potential performance for InGaAs and GaN nano-sheet FET/HEMTs |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | TCAD study of the potential performance for InGaAs and GaN nano-sheet FET/HEMTs |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L'attività di ricerca proposta riguarderà lo studio teorico dei limiti di prestazione di transistori a nanostrati di prossima generazione basato su simulazioni TCAD accurate. L'interazione con l'Università NYCU di Taiwan permetterà di avere dati sperimentali di un certo numero di dispositivi di test progettati congiuntamente per le analisi specifiche. Il progetto riguarderà MOSFET a nanostrati di InGaAs come primo obiettivo, per l'analisi delle prestazioni di dispositivi scalati. In una seconda parte del progetto verranno simulati finFET e nanostrati ad eterostruttura di GaN per determinarne le potenzialità in applicazioni di potenza integrate e innovative. |
| Descrizione sintetica in inglese | The proposed research will focus on the theoretical investigation of the main performance limitations of next-generation nanosheet transistors based on accurate TCAD simulations. The strict interaction with the Institute of Electronics, NYCU University, Taiwan, will allow us to receive measured data on a number of test devices jointly designed for the specific analyses under study. This project will particularly address InGaAs nano-sheet MOSFETs as a first goal, focusing on the performance of extremely scaled devices. In a second phase, GaN finFET/HEMTs and nano-sheet FET/HEMTs will be simulated, by focusing on the adoption of such alternative wide-bandgap materials for innovative integrated power applications. |
| Data del bando | 19/12/2024 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| susanna.reggiani@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 09/01/2025 - alle ore 23:59 |
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| Come candidarsi | Other |