Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione sperimentale dell’affidabilità di transistori GaN 650V in condizioni di stress dinamico |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Experimental reliability characterization of 650V GaN transistors under dynamic stress conditions |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Obiettivo del progetto: Studiare e migliorare l'affidabilità dei High Electron Mobility Transistor (HEMT) basati su tecnologia al Nitruro di Gallio (GaN) mediante stress test dinamici (Dynamic Gate Stress - DGS e Dynamic Reverse Stress - DRS). L'obiettivo è comprendere i meccanismi di degrado, eventuali dipendenze da tensione, temperatura, frequenza di commutazione, duty cycle, ecc., e proporre/individuare soluzioni per ottimizzare l’affidabilità dei dispositivi GaN HEMT in applicazioni di potenza. |
| Descrizione sintetica in inglese | Project objective: To study and improve the reliability of High Electron Mobility Transistors (HEMT) based on Gallium Nitride (GaN) technology using dynamic stress tests (Dynamic Gate Stress - DGS and Dynamic Reverse Stress - DRS). The goal is to understand degradation mechanisms, potential dependencies on voltage, temperature, switching frequency, duty cycle, etc., and propose/identify solutions to optimize the reliability of GaN HEMT devices in power applications. |
| Data del bando | 20/12/2024 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| a.tallarico@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 19/01/2025 - alle ore 23:59 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |